本发明公开了一种镁二次电池负极材料及其在镁二次电池中应用。该负极材料以特定尺度的颗粒形式存在，将该材料应用于镁二次电池表现出较高的充放电容量和良好的循环稳定性。将其替代金属镁，作为镁二次电池负极材料使
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种基于动态有向图的图像集配准方法，包括步骤：步骤1，使用自适应加权的稀疏表示方法计算图像集中图像的全局相似度并建立或更新以图像集中图像为节点的有向图；步骤2，基于有向图结果确定两两节点最
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底中形成浅沟槽；在浅沟槽中形成浅沟槽填充层；在浅沟槽填充层上形成衬垫盖层；向浅沟槽填充层中注入离子并退火，形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种G0类S盒构造方法及其电路，属于通信技术领域。本方法为：1)设x0x1x2x3为S盒输入信息；对x0和x1进行逻辑与运算，再将结果与x3异或后的值更新x3；2)对x1和x2进行逻辑或运
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及一种2.5D或3D封装中用于interposer转接板的TSV制作方法。该方法的特征在于，TSV结构是通过双面刻蚀和双面填充而形成。本发明中揭示的方法可用于形成高深宽比或超高深宽比的TSV结
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及一种电子设备能耗测量方法及系统，该方法包括以下步骤：通过多个测量模块分别对电子设备中的各功能模块进行能耗测量；获取所述电子设备中的各功能模块的能耗测量数据；上传所述能耗测量数据到上位机。该系
发布时间： 2013-10-23
本发明提供了一种化学机械抛光模拟方法，包括，选择集成电路版图中的任意一根互连线为研究对象；以所述研究对象为基准，在所述集成电路版图所在的平面内，分别向所述研究对象的至少四个方向延展一个平坦化长度，形成
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种基于光栅剪切成像的安检设备及方法。该设备包括：用于产生多缝X射线光源的光源装置；具有狭缝的扇形光束产生装置，在X射线光源产生的光束的照射下产生扇形光束，并照射分束光栅；被检物品通道；设
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及一种震动源实时定位与分析系统，为解决现有技术不能获得精确丰富的震动信息的问题，其由野外震动数据采集网络和室内数据分析系统两大部分组成；其中野外震动数据采集网络由三部分组成：室外震动监控站FM
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种鳍形场效应晶体管制造方法，包括步骤：在衬底上形成多个第一鳍形结构，沿平行于衬底的第一方向延伸的；在衬底上形成多个第二鳍形结构，沿平行于衬底的第二方向延伸的，其中第二方向与第一方向相交；
发布时间： 2013-10-23