本发明公开了一种高精度延时小的连续时间比较器，适用于以比较器为基础的开关电容结构中(CBSC?structure)。其依次包括：偏置电路，用于提供比较器所需的电流电压偏置；预放大器，用于放大需要判别的
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种基于数字移相提高延时精度的方法，该方法使用现场可编程门阵列(FPGA)产生两路逻辑门电路(Transistor-Transistor?Logic，TTL)信号分别作为距离选通成像中脉冲
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种新型锂离子电池。该锂离子电池包含正极、负极和电解液，负极活性物质为选自单质硫、有机硫、Li2Sn(n≥1)及其复合物的硫基材料。本发明提供的锂离子电池具有安全性好、比容量高和循环稳定的
发布时间： 2013-10-23
本发明提供了一种直接液体燃料电池膜电极的制备方法，将Nafion溶液、醇类溶剂、水与催化剂混合，然后喷涂至转印膜上，形成催化层，再转印至Nafion膜上，得到膜电极；所述Nafion溶液的体积VNaf
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种基于周期性脉冲信号的异地数据同步采集方法及系统，该方法为中低速数据采样过程提供异地微秒级精度的时间同步，所述方法包含：步骤101)设置数据采样时钟为计数器的计数源；设置周期性脉冲信号为
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的浅沟槽隔离，其特征在于：衬底与浅沟槽隔离之间还包括应力释放层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过在衬底与STI之间增加材质较软的应力释放层，将STI
发布时间： 2013-10-23
本发明公开了半导体器件，包括：第一MOSFET；第二MOSFET；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有第二应力；其中，第二应力衬层和/或第一应
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，包括：在生长稀铋半导体材料的过程中加入小半径且大键能的原子；所述的小半径且大键能的原子为氮或硼。本发明提供的方法在生长稀铋半导体材料的时候同时加入氮、硼
发布时间： 2013-10-23
本发明涉及使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法，包括提供初始结构，包括衬底，有源区，及栅极叠层；在栅极叠层两侧的有源区中进行离子注入，使得部分衬底材料预非晶化以形成非晶态材料层；形成第一侧墙
发布时间： 2013-10-23