本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET在SOI晶片中形成，所述MOSFET包括：浅沟槽隔离区，在所述半导体层中限定有源区；栅叠层，位于所述半导体层上；源区和漏区，位于所述半导体层中且
发布时间： 2013-04-17
本发明提供一种在α-Fe2O3纳米晶表面异质生长纳米SnO2的方法。将预先获得的α-Fe2O3纳米晶体分散在Sn(OH)62-的乙醇溶液中，通过溶剂热反应在α-Fe2O3纳米晶上异质生长纳米SnO2，
发布时间： 2013-04-17
本发明公开了一种水平轴风力机叶片专用翼型的设计方法及基于该方法得到的水平轴风力机叶片专用翼型，所述设计方法基于反设计方法，设计出的翼型具有高效低载、良好的变工况特性及平滑失速特性。本发明的有益效果是：
发布时间： 2013-04-17
本发明属于医药技术领域，涉及一种高效的DPP-IV抑制剂，具体地涉及一种以脲嘧啶为母核的化合物或其盐、其制备方法、组合物以及这类化合物作为二肽基肽酶(DPP-IV)抑制剂在预防或治疗受益于DPP-IV
发布时间： 2013-04-17
本发明涉及一种厌氧胶用引发剂的组成及其厌 氧胶。本发明是基于改进已有的厌氧胶引发剂体系,特别是过氧 化物－取代肼－糖精的氧化还原体系,氧化剂和还原剂同时(或 分别)采用多于一个化合物组合的方法,
发布时间： 0000-00-00
本专利公开了一种PN结阵列受光的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的PN结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至PN结阵列。本专利最大的优
发布时间： 0000-00-00
本实用新型涉及一种光轴平行性标定系统，光轴平行性标定系统包括自准直经纬仪、数据处理计算机以及用于对自准直经纬仪进行自准的平面反射镜；待测光学系统设置在自准直经纬仪的出射光路上并与数据处理计算机电性相连
发布时间： 0000-00-00
本实用新型公开了一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具。该限位模具特殊的限位设计能精确控制探测器芯片厚度的一致性和均匀性；模具主材为硬度非常大的两块白宝石片，探测器芯片背减薄磨抛条件对其几乎不起作用
发布时间： 0000-00-00
本实用新型涉及一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置，所述检测电磁炉IGBT壳温的温控装置，它包括散热器、IGBT单管、螺杆、导热片和热敏电阻，在散热器上设有IGBT单管，在IGBT单管上安装有螺杆，在
发布时间： 0000-00-00
本实用新型涉及一种垂直传递室内光学基准标定系统，该标定系统包括自准直经纬仪、第一平面反射镜系统、第二平面反射镜系统、第一玻罗棱镜、第二玻罗棱镜以及基准立柱；第一玻罗棱镜以及第二玻罗棱镜自上而下依次设置
发布时间： 0000-00-00