本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料 结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种耐真空及高压有气体保护的可移动密封装置，其特征 是：装置与密封腔体的结合部位由O型圈密封，上下移动由连接移动机械部分 的精抛光的不锈钢旋转升降轴完成，不锈钢旋转升降轴与外壁之间采用两组
发布时间： 2009-06-03
一种湿式自复位阻火放散阀，用于低压可燃性气体介质输送和安全放散。水封箱（5）与水压差箱（7）连接，水压差箱（7）出口设有溢流水箱（8）；当气体介质压力超过设定值时，水压差箱（7）内的水溢出到溢流水箱（
发布时间： 2012-06-20
本发明涉及一种基于音素混淆的中英文双语语音识别方法，该方法采用两遍音 素聚类的方法统一中英文音素集，重新训练得到中英文混合声学模型，并修正相应 的双语发音字典，解码器根据这些实现中英文双语识别。基于T
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种LED模块化灯，包括至少一个LED灯模块，LED灯模块包括二次配光透镜、封装外壳、电路板和设与电路板上的电路连通的LED芯片；二次配光透镜包括准直透镜和设置在准直透镜前端面的平板透镜，
发布时间： 2012-07-25
本发明公开了一种自支撑透明高导电PEDOT薄膜及其制备方法。该薄膜由聚3，4-乙撑二氧噻吩和小分子掺杂剂构成；其制备方法为：在经亲水处理后的基片表面上涂覆含氧化剂和碱抑制剂的溶液形成有氧化剂和碱抑制剂
发布时间： 2012-07-25
本发明涉及随机数生成系统以及随机数生成方法。其中随机数生成系统包括超晶格噪声源、电源模块、量化编码模块、以及输出模块；超晶格噪声源产生随机噪声模拟信号；电源模块与超晶格噪声源电性相连，提供超晶格噪声源
发布时间： 2012-07-25
本发明公开了一种制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的 方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极 金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和 PH
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法，包 括：在制作的亚微米HBT发射极金属/HEMT栅金属之上制作牺牲介 质层，并剥离形成带有牺牲介质层的HBT发射极金属/HEMT栅金属； 在基
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种用于燃气轮机低污染燃烧室的燃油和空气混合装置，燃油分为主燃级和值班燃级，空气由三级旋流器供给。其特征在于中心值班级采用扩散燃烧，周围主燃级采用预混或半预混燃烧。中心值班级由离心式雾化喷
发布时间： 2012-06-20