本发明提供了一种热电器件的制作方法，该方法包括以下步骤：(a-1)在模 具中放入第一电极，所述第一电极具有一上表面；(b-1)在所述第一电极上设置 第一中间层；(c-1)在所述上表面上垂直插置隔板，将
发布时间： 2009-06-03
本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域的一种集成电路版图结 构及其制造方法。为了解决现有技术中化学机械研磨后集成电路版图细线区铜 金属残留的问题，本发明提供一种集成电路版图结构及其制备方法，通过
发布时间： 2009-06-03
一种基于Vega和RTW的光电经纬仪实时可视化仿真平台：实时渲染经纬仪虚拟场景；使用通过GPU编程编写的着色器向场景实时添加所需要的图像效果；建立经纬仪跟踪控制系统的Simulink模型并通过RTW生
发布时间： 2012-07-25
本发明提供了基于有机半导体异质结电荷产生层作为连接层的叠 层有机电致发光器件及制法。该器件两端的阳极和阴极至少有一个是 透明的，在阳极和阴极之间有多个有机发光单元，这些有机发光单元 从阳极到阴极逐一堆
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种调节全硅化金属栅的栅功函数的方法，包括： 局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注 入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅
发布时间： 2009-06-03
本发明公开了一种用于超深亚微米技术互补金属氧化物半导体器 件以及电路的金属栅电极的制备方法，包括：局部氧化隔离或浅槽隔 离，进行注入前氧化，然后注入14N+
发布时间： 2009-06-03
本发明涉及一种合成三环癸烷二甲醛的方法，该方法为在催化剂的催化作用下将双环戊二烯在中低压力下氢甲酰化合成三环癸烷二甲醛；催化剂为担载性催化剂，催化剂的活性组分为铁，钴或铑中的一种或两种，采用沉淀、洗涤
发布时间： 2012-07-25
本发明公开了一类含硫色酮类化合物及其制备方法和在制备抗肿瘤药物中的应用。含硫色酮类化合物其结构如式(I)所示，其中化合物1：R1＝R2＝R3＝H；化合物2：R1＝R3＝H，R2＝CH3；化合物3：R1
发布时间： 2012-07-25
本发明公开了一种用于捕捉干细胞的生物材料及其制备方法与应用。本发明提供的方法是将胶原材料与Sca-1抗体共价交联，得到所述用于捕捉干细胞的生物材料。本发明是根据抗体可与细胞上的特异性抗原结合的特性，提
发布时间： 2012-07-25
本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结 构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔
发布时间： 2009-06-03