本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上生成有石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜，作为高k
发布时间： 2013-03-06
本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，以及衬底上的栅区和栅区两侧的半导体区；在所述栅区的侧壁上形成覆盖部分半导体区的牺牲侧墙；在所述牺牲侧墙之外的半导体区以及栅区上形成金属层；去除牺牲
发布时间： 2013-03-06
本发明提供了一种高压器件的外延层制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成外延层，外延层具有第一厚度；平坦化外延层；在外延层上形成牺牲层；去除牺牲层，留下的外延层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。依照本
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种电子射线源产生装置及产生低剂量率电子射线的方法。该电子射线源产生装置用于辐照一照射面，该电子射线源产生装置包括一用于输出一电子射线的电子射线发生器，在该电子射线的传输路径上设有一遮蔽板
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种无焊接柱状绝缘瓷多级降压收集极的装配及热挤压方法，涉及真空器件技术，该方法通过一系列高精度的装配模具及工艺措施，确保装配过程中陶瓷柱与各个电极之间的紧密配合及相对位置，而后采用热挤压的
发布时间： 2013-03-06
本发明涉及基于多路采样的综合器及频率综合方法。该方法包括：步骤 1，生成具有相同频率、相同幅度和不同相位的多路信号；步骤2，在第一控 制信号的控制下对各路信号进行采样保持；步骤3，在第二控制信号的控制
发布时间： 2009-09-23
本发明公开了一种核用电缆无卤阻燃绝缘料、电缆绝缘层的制备方法和应用。该核用电缆无卤阻燃绝缘料原料包括：聚合物基材包括低密度聚乙烯和三元乙丙橡胶：100份；无机阻燃剂包括氢氧化镁：70-100份；聚磷腈
发布时间： 2013-03-06
本发明提供了一种改性短切碳纤维增强聚烯烃复合材料及其制备方法，该方法将20wt%~75wt%的聚烯烃、7wt%~40wt%的短切碳纤维、2wt%~20wt%的增容剂、5wt%~20wt%的环氧树脂与0
发布时间： 2013-03-06
本发明涉及日化领域及医药行业，具体的说是一种两亲性氨基菊糖及其制备。两亲性氨基菊糖式（1）所示，其中，R为H、CH3、CH3CH2CH2、（CH3）2CH或C6H5；n的平均取值范围是10－35。制备
发布时间： 2013-03-06