本发明涉及一种用于有线电视网络的交互电视节目流时间戳下发机制，其特征 在于，在交互电视业务中，服务器抽取实时传输协议节目数据中的时间戳，作为节 目私有数据的一部分，和节目数据一起按照MPEG2/DVB
发布时间： 2009-09-23
本发明涉及一种基于曼彻斯特编码通用现场总线接收方法及接收机， 它将双三元内容寻址存储器阵列通过优先管理与双口RAM阵列相结合，构 成一种可编程状态机制，通过双三元内容寻址存储器阵列对曼彻斯特编码 进行
发布时间： 2009-09-23
本发明提供一种热解硬炭材料及其制备方法和用途。该热解硬炭材料为对硬炭前驱体热解形成的、具有平均厚度1-200nm、几何表面积10-2000m2/g的类似二维平面的薄片材料，所述热解硬炭材料内部存在微孔
发布时间： 2013-03-06
一种可充碱金属-硫液流电池，所述电池包括正极室部分、隔膜和负极室部分，所述正极室部分包括正极反应室和与正极室管道连通的储液罐，所述正极反应室包括，正极集电极和作为正极使用的在正极反应室和储液罐之间循环
发布时间： 2013-03-06
一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的
发布时间： 2013-03-06
本发明提供一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的
发布时间： 2013-03-06
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的鳍片，所述鳍片通过半导体层接于所述衬底；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片和所述半导体层具有不同的材料，且两者相对
发布时间： 2013-03-06
本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍
发布时间： 2013-03-06