公开了一种半导体芯片，包括：一半导体衬底以及若干穿透半导体衬底的导电硅通孔；所述半导体衬底上设有平板电容结构。本发明通过提高芯片上电源分配网络超宽带退耦能力，在超宽频带范围增强半导体芯片抑制电源噪声的
发布时间： 2013-01-02
本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的所述SOI衬底的SOI层和BOX层，以形成暴露所述BOX层的沟槽，该沟槽部分进
发布时间： 2013-01-02
一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N
发布时间： 2013-01-02
本申请提供了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一绝缘埋层；在第一绝缘埋层上的第一半导体层中形成的背栅；第一半导体层上的第二绝缘埋层；在第二绝缘埋层上的第二半
发布时间： 2013-01-02
本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使
发布时间： 2013-01-02
本发明提供一种宽带射频功率放大器记忆非线性模型及建模方法，该建模方法包括：输入射频信号经过静态非线性处理单元生成与输入无关的非线性信号；非线性信号经过动态非线性处理单元生成含记忆的动态非线性输出信号；
发布时间： 2013-01-02
一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构，包括基座以及，安装在基座上的HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之
发布时间： 2013-01-02
本发明公开了用于半导体功率器件的终端，包含至少两层场板和至少一个场限环；所述每层场板包含至少两块场板，其中，位于主结正上方的各个场板互相连接，并且所述主结与位于该主结正上方的相应场板连接，余下的场板之
发布时间： 2013-01-02
本发明公开了一种半导体器件的替代栅集成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成阱区域，定义N型器件区域和/或P型器件区域；在N型器件区域和/或P型器件区域上分别形成牺牲栅堆叠，牺牲栅堆叠包括牺牲
发布时间： 2013-01-02
一种无骨架超导线圈的制作工艺，利用超导线圈（1）和骨架的低温热收缩不同实现超导线圈（1）从骨架筒体（2）的脱离。绕制超导线圈（1）前在骨架筒体（2）外表面和骨架端板（3）内表面贴一层聚四氟乙烯薄膜（4
发布时间： 2013-01-02