本实用新型涉及一种高温高真空电阻炉。该电阻炉由电控柜、炉体、发热体、隔热屏、分子泵和干泵等零部件组成。该电阻炉结构科学且合理、真空性能和均温性能好的实验用高温真空炉，解决了透明陶瓷制备过程中由于加热器
发布时间： 0000-00-00
本实用新型是一种用于边坡生态防护的错台竹木梯网格梁，其特征是将竹桩作为锚杆，进行边坡生态固坡，利用改良土进行培植绿化，达到边坡深层与浅层联合防护的目的，竹桩直径为5-11cm，竹桩节节贯通，入土端削尖
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本实用新型公开了一种用于可见光通信的通信系统和便携装置，用于便携装置之间的数据传输，该通信系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)
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本发明提供了一种电解质溶液，该电解质溶液包含有机溶剂、锂的氧 化物、吸电子化合物、所述的有机溶剂为碳酸酯类和/或醚类有机溶剂，以 及该电解质溶液的制备方法，本发明的电解质溶液，用于可充放电锂电池 中电
发布时间： 2009-10-28
本发明涉及表面织构化n型ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。本发明在n 型ZnO基透明导电薄膜的膜面形成大量排列规则、结构均匀、连通良好且具有 一定深度的微孔结构。这种表面织构化的薄膜具备良好的光捕获性
发布时间： 2009-10-28
本发明涉及一种自适应图像处理方法，包括下列步骤：步骤A，根据原始灰度图像获取感兴趣区图像；步骤B，计算所述感兴趣区图像的积分图像及原始灰度图像的积分图像；步骤C，根据所述感兴趣区图像的积分图像及原始灰
发布时间： 2013-01-02
本发明提供了一种半导体结构，该结构包括衬底、源区绝缘塞、漏区凹槽、半导体基体、栅极堆叠、侧墙、源区、漏区，其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上，所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上，所述源区、漏区嵌于所
发布时间： 2013-01-02
一种新型双栅三端Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏极以及异质结构，源、漏极通过异质结构中的二维电子气形成电连接，其中异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体；形成于第一半导体表面的第二半导体
发布时间： 2013-01-02
本发明涉及一种随机噪声源，其包括半导体超晶格器件以及封装体。其中，半导体超晶格器件由采用InP衬底上的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As材料体系、InP衬底上的InAs/In0
发布时间： 2013-01-02