本发明涉及复合膜制备技术，更具体地说，是涉及一种电触点用Ag/Cr2O3复合膜及其制备和应用。复合膜由Ag基体和弥散其中的Cr2O3颗粒组成：按质量百分数计，Cr2O3颗粒含量为1.5％-15.0％，
发布时间： 2012-07-18
一种应用分凝分离效应的气体低温液化分离系统，包括压缩机模块、冷却分凝 分离模块和液化分离模块；其连接为：压缩机模块高压出口连接冷却分凝分离模块 制冷剂高压入口；冷却分凝分离模块制冷剂高压出口连接液化分
发布时间： 2010-01-13
本发明提供的导电聚合物/碳纳米管复合纤维热电材料的制备方法，包括，使导电聚合物单体先与碳纳米管掺杂、再沿着碳管表面吸附、聚合，促使形成聚合物以碳管表面为模板的吸附生长，采用电纺丝方法沉积出分子链定向排
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极
发布时间： 2012-07-18
本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H2SO4、H2O2的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表面的纯净度。在RCA清洗法之后再次用HF去除表面氧化层，可以有效地降
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种新型MOSFET器件及其实现方法，包括含硅的衬底、位于衬底中的沟道区、位于沟道区两侧的源漏区、位于沟道区上的栅极结构以及位于栅极结构两侧的隔离侧墙，源漏区具有镍基金属硅化物，其特征在于
发布时间： 2012-07-18
一种新型电场调制型存储单元的阵列和随机存储器，所述存储器包括新型电场调制型存储单元的阵列和相应的读写电路。所述存储单元的阵列中的存储单元可以采用导电层、功能层和底层的结构；也可以采用导电层、绝缘层、缓
发布时间： 2012-07-18
本发明为一种通过不同方向的动作控制音符播放的方法。该方法包括一种肢体摆动角度序列的拐点检测方法和一种挥动动作与音符的对应激活方法。该方法将儿童手部往返挥动的动作对应为乐曲音符的播放；每个单方向的运动过
发布时间： 2012-07-18
本发明涉及一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，属于半导体器件领域。所述射频LDMOS晶体管结构包括背栅金属层、底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、正栅氧化层、正栅多晶硅层，侧墙区、源区、漏区、P阱区
发布时间： 2012-07-18
利用纳米碳管对场发射电子发散角的控制方法，该方法包括利用多壁纳米碳管作为场发射的电子源，在碳管和阳极之间加上电压形成电子场发射。通过调整并选择纳米碳管的外壁抽出的长度及在纳米碳管上所施加的电压，改变所
发布时间： 2012-07-18