本发明涉及传感器，具体地说是一种测定酶活性的聚合物液膜电位传感器及其检测方法。电位测定仪通过导线分别连接内参比电极和外参比电极，内参比电极插入盛有内充液的工作电极内，工作电极和外参比电极插入盛有检测液
发布时间： 2011-11-09
基于图像库的视频和图像的编码解码方法包括以下步骤：将多媒体数据与编码数据库中的预存储数据进行比较得到多媒体数据中与预存储数据之间的区别数据及相同数据；从编码数据库中获取相同数据的属性信息；对区别数据及
发布时间： 2011-11-09
本发明提出一种MOS半导体器件的栅极结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的界面层薄膜；形成在所述界面层薄膜之上的高K栅介质层；和形成在所述高K栅介质层之上的金属栅极，所述金属栅极从下至上依次包括金属栅
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种微流控细胞悬浮培养芯片。该芯片包括一个以上培养单元，每一培养单元包括一基体，该基体包括分别分布于层叠设置的若干培养层上的培养沟道，该等培养沟道彼此连通形成一闭合回路，该闭合回路与设置在
发布时间： 2011-11-09
一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的栅极、栅极两侧的侧墙、以及源/漏区；位于源/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖源/漏区的至少一部分
发布时间： 2011-11-09
一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括半导体器件；在所述半导体衬底上淀积铜扩散阻挡层；在所述铜扩散阻挡层上形成铜化合物层；根据铜互连的形状，将需要形成铜互连的
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法，该方法包括：步骤1：提取绝缘体上硅器件的热阻；步骤2：测试绝缘体上硅器件在应力条件下的漏电流，计算出绝缘体上硅器件在应力条件下的功率，然后利用提取
发布时间： 2011-11-09
一种适合宽脉冲负载的前级储能交替馈电式高压变换器，涉及变换器技术，在工作脉宽1.7ms，占空比32％，阴极电流90mA，阴极电压6kV，高压降落不大于10V时，高压电源总储能小于0.5J。当高压电源对
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得C
发布时间： 2011-11-09
一种波面差动干涉空间光解调器，是一种差分相移键控(以下简称为DPSK)信号自由空间光解调器，由块状偏振分束器件、合束器件、反射镜、两组光瞳成像透镜组成光瞳匹配式时间差分干涉仪。用于空间激光通信接收机中
发布时间： 2011-11-09