一种八分之一波片相位延迟量和快轴方位角的测量装置，该装置由准直光源、圆起偏器、衍射光栅、聚焦透镜、衰减器、检偏器阵列、光电探测器阵列和信号处理系统组成，本实用新型能实时地测量八分之一波片的相位延迟量和
发布时间： 0000-00-00
公开了一种应用于永磁同步电机的无位置传感器位置估计的装置，包括电磁转矩计算模块、控制模块、电磁转矩计算模块、速度增量计算模块、速度估计模块及位置估计模块；本发明提供的一种应用于永磁同步电机的无位置传感
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造领域，根据本发明，该半导体器件包括：半导体衬底；栅极区，位于所述半导体衬底上方；源/漏区，位于所述栅极区两侧，所述源/漏区由应力材料形成；其中，所
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种存储器件及其制造方法，所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET，以及位于MOSFET下方的电容器结构，所述电容器结构包括两个电容器电极，所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种插入式TiN金属栅叠层结构的制备和刻蚀方法，包括：在半导体衬底上形成界面SiO2层，然后在其上形成高K栅介质层；所述高K栅介质层经过快速热退火处理后，在其上形成TiN金属栅电极层；在所
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种闪存器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的闪存区；其中，所述闪存区包括：第一掺杂阱，所述第一掺杂阱内通过隔离区分为第一区和第二区，所述第二区内掺杂了与所述第一掺杂阱的导电性能
发布时间： 2011-11-09
本发明涉及一种锌基大块非晶合金及其应用。该合金是以锌为主要成分，其组成可用公式表示为：ZnaMgbCacYbdXe，其中下标代表原子比(摩尔比)，36≤a≤60、9≤b≤15、5≤c≤39、0≤d≤1
发布时间： 2011-11-09
一种制造半导体器件的方法，所述方法采用先去除伪堆叠以形成开口；而后从所述开口对衬底进行蚀刻而形成沟槽；再利用外延生长工艺在所述沟槽中生成外延层，以形成掺杂阱；最后，在开口中形成栅极介质层和金属栅极。通
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种氮化镓微波单片集成电路中的背面金属起镀层结构及其制备方法。所述金属起镀层结构淀积在芯片背面经过盲孔刻蚀后的SiC衬底层或Al2O3衬底层之上，与芯片正面需要接地的金属PAD(通常由钛/
发布时间： 2011-11-09
本发明公开了一种降低存储器读干扰的电路及方法。该电路包括全局字线、本地字线、存储块、存储子块、位线译码电路、高压切换电路和译码开关。该方法对字线采用两级译码技术，将传统存储块划分成块和子块，在编程和擦
发布时间： 2011-11-09