本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的硒化处理装置、方法及铜铟镓硒薄膜器件。所述装置包括石英管，所述石英管内部设有硒化单元，所述硒化单元包括通过隔热材料相连接的硒源凹槽和CIGS薄膜凹槽，两凹槽上方设有防护罩，
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种RNA及载体在制备预防和/或治疗肝癌产品中的应用。本发明提供了一种重组腺病毒载体，为将至少一个miR-122的编码基因插入pDC312-cmv腺病毒载体中得到的重组腺病毒载体；所述mi
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种诱导成熟细胞去分化的方法。本发明提供的诱导成熟细胞去分化的方法，包括如下步骤：将成熟细胞在固体培养基中进行培养，得到球状细胞，所述球状细胞具有胚胎干细胞全能性；所述固体培养基为将2×D
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种高迁移率衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲
发布时间： 2012-07-11
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极和栅极侧墙；预非晶化栅极侧墙两侧的半导体衬底以定义源区和漏区；对预非晶化后的半导体衬底进行自对准硅化物
发布时间： 2012-07-11
本发明提供了一种通过湿法刻蚀改善晶体表面和平整度的方法。该方法通过碳化硅单晶的清洗、预热、吹氧刻蚀等方法，实现单晶碳化硅表面点、线、面缺陷的去除，最大限度消除晶片表面缺陷、应力和损伤层，从而碳化硅晶片
发布时间： 2012-07-11
一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子
发布时间： 2012-07-11
一种管家机器人，包括底盘及与底盘相连的机体，还包括设置在所述机体内的处理模块、设备参数数据库、无线通信模块和输入输出模块，所述设备参数数据库用于存储家电设备和专用机器人的标识号及状态参数；所述输入输出
发布时间： 2012-07-11
本发明公开了一种改良的月季苗床。苗床的宽度为80～130cm，苗床长度方向呈中间高，两头低的形状，然后以苗床的所在地的地平面为基准，向下挖30～50cm，挖空苗床所在区域，再在挖空的苗床中间位置，再向
发布时间： 2013-05-08
一种投影光学系统，用于将物平面的图像成像到像平面内。该投影光学系统，沿其光轴方向依次包括第一透镜单元(L1)、第二透镜单元(L2)、第三透镜单元(L3)、第四透镜单元(L4)和第五透镜单元(L5)，所
发布时间： 2012-07-11