本发明公开了一种消能式排导拦挡结合的泥石流拦砂坝。所述拦砂坝包括坝体基础及设于坝体基础之上的坝体主体；所述坝体主体包括若干按一定间距分布的支墩，每两个支墩间设有卧式格栏，支墩较卧式格栏向上游延伸，卧式
发布时间： 2013-05-08
一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的沟道区，所述沟道区包括量子阱结构；位于沟道区两侧的源极区和漏极区；沟道区上的栅极结构；其中，所述沟道区、源极区和漏极区的材料的能带互不相同；在源极区与沟
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了高比表面积石墨烯的超低温热膨胀制备方法，包括如下步骤：在真空度0pa～1000pa下，将氧化石墨升温到80℃～150℃，维持恒温0.1小时～24小时，氧化石墨体积膨胀而发生剥离，得到比表面
发布时间： 2011-01-05
本发明提供一种MOS晶体管及其制作方法，该MOS晶体管包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的栅极结构；所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，所述沟道内靠近漏
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及晶体管以及所述晶体管的制造方法。根据本发明实施例的晶体管可以包括：衬底，所述衬底至少包括顺序堆叠的晶体管的背栅、绝缘层和半导体层，其中所述晶体管的背栅用于调节所述晶体管的阈值电压；形成在所述
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及一种含有羟基磷灰石(HAP)纳米颗粒的复合凝胶及其制备方法和用途。该复合凝胶中无机成分为原位制备的HAP纳米颗粒，有机基体为预辐射法制备的过氧化胶束(pMIC)聚丙烯酰胺凝胶、过氧化线性高分
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种同轴型脉冲管制冷机的热端内部导流结构及制造方法，该结构主要由热端换热器、脉冲管座、脉冲管、气体导流器组成。以热端换热器为基体，中间通孔，并用线切割技术在内部割出环形狭缝体；脉冲管座内部
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种控制鱼类生殖的方法，其步骤：A，构建重组基因CMV-eGFP-SV40-CMV-Gal4-SV40，建立转GAL4基因斑马鱼家系；B，构建重组基因CMV-RFP-SV40-UAS-an
发布时间： 2013-05-08
本发明公开了一种多臂嵌段共聚物及其制备方法与应用。该多臂嵌段共聚物的每一臂由软段和硬段组成，软段是消旋聚乳酸、或者聚己内酯、或者两者的共聚物，硬段为右旋聚乳酸。通过多臂嵌段共聚物的右旋聚乳酸与左旋聚乳
发布时间： 2013-05-08