本发明公开了一种用于气缸盖或活塞激光热负荷试验的材料热物性参数和吸收率的校正方法，主要将实验和模拟计算相结合，通过多次实验和模拟计算，最终确定一组可用于此气缸盖或活塞激光热负荷的材料热物性参数和吸收率
发布时间： 2012-05-23
一种优化的微型氢源换热系统，系统稳态时，甲醇自热重整反应原料依次经催化燃烧反应/换热模块、CO选择氧化反应/换热模块和甲醇自热重整反应/换热模块进行热交换，再进入重整反应器中进行反应得到高温富氢重整气
发布时间： 2012-05-23
本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底；栅极部分，形成在所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于所述栅极部分的相对侧；接触电极，与所述源极部分和/或所述漏极部分相接触，其中所述接触电极在与所述源极部分
发布时间： 2012-05-23
本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述栅极电介质下方的沟道区；位于所述半导体衬底中、且分别在所述沟道区
发布时间： 2012-05-23
一种提高电子束曝光效率的方法：1)在需要光刻的片子上涂敷一层正性光刻胶，进行前烘；2)图形数据分割，对大尺寸图形部分进行光学曝光，进行后烘；3)正性光刻胶显形；4)等离子体氟化；5)烘烤加固；6)涂电
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；形成于石墨烯层上的栅极区；形成于栅极区一侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区；其中所述半导体掺杂区为所述器件结构的漏极区，位于所
发布时间： 2012-05-23
本发明提供一种采用后栅工艺制备CMOS器件中接触孔的方法，包括：形成第一类型MOS的高K介质/金属栅(HKMG)；形成并金属化第一类型MOS和第二类型MOS的源漏极的下接触孔，同时形成第二类型MOS的
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种新的利用CYSC治疗中枢神 经系统退行性疾病尤其是帕金森病的方法以及利用CYSC筛 选、制备治疗中枢神经系统退行性疾病的化合物或药物组合物 的新用途。同时本发明公开了一种治疗神经
发布时间： 2005-05-25
本发明公开了一种高低温紧固件耐腐蚀防抱死材料及其制备方法。材料由硅油、蓖麻油或蓖麻油衍生物、蜡、六方氮化硼粉、石墨粉、硫酸钡粉、三氧化二铬粉、白炭黑粉、三氧化二锑粉、金属粉以及抗氧剂组成。防抱死材料为
发布时间： 2012-05-23
一种在微反应器系统内合成环状碳酸酯的方法，即将含环氧化合物和催化剂的液态物料与含二氧化碳的气态物料先于微混合器内混合，再于微通道反应器内进行环合反应合成环状碳酸酯。该方法的反应温度为100~220℃、
发布时间： 2012-05-23