本发明公开了一种半导体器件的隔离结构及其制造方法、以及具有该结构的半导体器件，涉及半导体制造领域。该隔离结构包括：沟槽，嵌入于半导体衬底中；氧化层，覆盖所述沟槽的底壁和侧壁；以及隔离材料，位于所述氧化
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种离子液体二元复合纳米润滑膜的制备方法。本发明通过特殊的室温固、液离子液体产生优化的薄膜纳米结构，从而综合室温液态咪唑六氟磷酸盐离子液体纳米润滑膜相对低的微摩擦系数和室温固态咪唑六氟磷酸
发布时间： 2012-05-23
复合金属氧化物八面体的制备方法，涉及一种尖晶石复合氧化物八面体材料的制备方法。本发明以可溶性金属盐和表面活性剂为原料，氢氧化钠为共沉淀剂，于30～70℃的温度下进行老化反应，通过严格控制溶液的碱浓度(
发布时间： 2012-05-23
本发明提出一种制备一体式可再生燃料电池MEA时对催化膜的保护方法，采用带有弹性耐温垫片的金属夹板和带有耐温胶膜的保护条相结合的方法，来减小扩散层及密封构件对催化膜的剪切力，可明显提高膜电极三合一的使用
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽
发布时间： 2012-05-23
一种金属互连结构，包括：半导体基底，所述半导体基底中形成有接触区；层间介质层，所述层间介质层形成于所述半导体基底上；导电层，所述导电层贯穿所述层间介质层且电连接于所述接触区，所述导电层包括n层金属层和
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种热阴极用热子的制备方法，涉及微波器件技术，用于热阴极的热子的制备，采用高温焊料焊接技术将钨螺旋热子与热子插腿焊接在一起，增强了钨螺旋热子与热子插腿连接强度。本发明方法简单易行，制备的热
发布时间： 2012-05-23
本发明涉及一种基于改进支持向量机相关反馈的遥感图像检索方法包括以下步骤：建立遥感图像数据库，并从库中选择一幅满足检索目标的图像作为查询图像；在上述遥感图像数据库中进行遥感图像特征提取，得到特征向量；基
发布时间： 2012-05-23
本发明公开了一种高频频率源装置。该高频频率源装置包括：单片GaN?HEMT微波振荡器，用于产生高功率的微波振荡信号；锁相电路，用于接收微波振荡信号，实现对单片GaN?HEMT微波振荡器输出的微波振荡信
发布时间： 2012-05-23
一种磁制冷工质床为由n个磁制冷工质床组件组成的柱状体，n＝1～1000；该n个磁制冷工质床组件按所用磁制冷材料的居里温度或相变温度由高至低顺序排列而成；磁制冷工质组件为具有便于形成高比表面积和低阻流道
发布时间： 2012-05-23