本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm，然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex，Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法，该方法通过计算缓冲层杂质浓度，制作缓冲层掺杂版图，从而利用离子注入制作出杂质在横向上近似线性分布的缓冲层，然后在制作有缓冲层的SOI衬底上
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种具有多层超结结构的SOI?LDMOS器件的制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成第一层超结结构；然后在形成有至少一层超结结构的SOI衬底上制备外延层，利用与制作第一层超
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺，包括以下步骤：步骤一，利用键合工艺制作SOI埋氧层下的导电层；所述导电层的详细制作过程为：在第一体硅片上淀积一层阻挡层，
发布时间： 2010-12-15
本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种抗蝗虫的苏云金芽孢杆菌，苏 云金芽孢杆菌Bacillus thuringiensis BTH－13，CCTCC NO： M206061。制备杀虫剂的步骤是：首先是摇瓶发酵，在100单
发布时间： 2006-12-13
本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构的制作方法。本发明方法制作的SOI?MOS结构，其有源区包括：体区、N型源区、N型漏区、重掺杂P型区；其N型源区由硅化物和与之相连的N型Si区两部分组成；
发布时间： 2010-12-15
本发明提供一种相变存储器的数据读出方法及读出电路，当读数据电路在读取相变存储器的一条位线上被选择出的相变存储单元所存储的数据的同时，预充电电路对所述相变存储器的各待读取相变存储单元各自所在的位线中的至
发布时间： 2010-12-15
本发明涉及一种CT图像的处理系统，包括CT图像获取模块、感兴趣区域估计模块、特征提取模块、异常信号识别模块以及显示模块；CT图像获取模块用于获取进行过脑组织分割的头部CT图像；感兴趣区域估计模块对头部
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种用于不同亚型非小细胞肺癌分型的核酸适体及其筛选方法。本发明提供的核酸适体，是含有序列表的序列1至序列9中任一所示的核苷酸的DNA片段。所述核酸适体可应用于不同亚型非小细胞肺癌细胞分型。
发布时间： 2010-12-15