一种萘加氢制备十氢萘的催化剂，其特征在于催化剂由活性组分、助剂、载体三部分组成，以金属计，活性组分金属的质量百分含量为10wt%-50wt%，助剂金属的质量百分含量为0.1wt%-25wt%，其余为载
发布时间： 2013-02-27
本发明属于纳米材料领域，具体涉及的是一种高 固含量贮存稳定的纳米氧化锌浓缩浆及其制备工艺。按重量比 计，该浓缩浆包含一次粒子的平均粒径在50nm以下的纳米氧 化锌40～80％、分散剂1～15％、消泡剂
发布时间： 2006-12-20
本发明主要涉及一种用于合成高分子量低不饱 和度聚醚多元醇的新型双金属氰化物催化剂(DMC)及其制备 方法。高分子量低不饱和度聚醚是在该新型DMC催化剂存在 条件下，通过氧化烯烃加成到含活泼氢原子的起始
发布时间： 2006-12-20
一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装 置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长 室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套 置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，
发布时间： 2006-12-20
本发明涉及一种用于电磁激励高阶模态谐振硅 微机械悬臂梁的驱动结构、制作方法及应用，属微机械传感器 技术领域；其特征在于采用与悬臂梁高阶谐振模态的振动函数 曲线相匹配的优化布置电磁激励线圈，产生与该模态
发布时间： 2006-12-20
本发明涉及一种静脉注射用的聚乙二醇修饰的羟基喜树碱隐形脂质纳米球及其制备方法。该脂质纳米球含有治疗有效量的羟基喜树碱、聚乙二醇酯类、注射用油、磷脂、药学上可接受的辅料，重量百分比分别为0.01～0.2
发布时间： 2006-12-13
本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种具有BTS结构的SOIMOS器件及其制作方法。该SOIMOS器件的源区包括：两个重掺杂N型区、位于两个重掺杂N型区之间的重掺杂P型区、位于两个重掺杂N型区和重掺杂P型区之上的硅化物、以
发布时间： 2010-12-15
本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于
发布时间： 2010-12-15