本发明属于半导体技术领域，特别是LEC法生 长体单晶的准备工艺中PBN坩埚表层镀膜方法及装置。装置 包括：装挥发性材料的容器；一套加热系统和温控设备；一套 支撑系统；一座封闭炉室和真空设备，提供
发布时间： 2007-01-03
本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮 螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表 面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V” 字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电
发布时间： 2007-01-03
本发明公开了一种用于超导线圈电流调节开关 的快速充电装置，其特征在于进线电压接入变压整流电路，变 压整流电路串联限流电阻R1后，并联连接二极管D，二极管 D两端并联接有电感L4和电容C串联构成的
发布时间： 2007-01-03
本发明公开了一种新型爆炸断路器，其特征在于 包括有底盘，底盘上安装有绝缘筒，绝缘筒上安装有中间开孔 的上圆盘，底盘的中央有孔，孔的边沿放置有下导电环，绝缘 筒的内边沿上放置有上导电环，上、下导电
发布时间： 2007-01-03
本发明公开了一种基于半导体激光吸收光谱法 的开放式天然气泄漏多路监测方法和光路结构，包括有主机箱 和开放式长光程系统，主机箱上安装有电源插座、开关、风扇、 光纤连接器，数据传输接口，其特征在于机
发布时间： 2007-01-03
本发明涉及一种采用微转移图案化图形作为掩 模板的光刻图案化方法。该方法的薄膜结构具有金属薄膜、热 塑性高分子薄膜、光刻胶薄膜三层组成。金属薄膜图形采用微 转移图案化的方法得到，并可以作为后续的光
发布时间： 2007-01-03
本发明提供了一种低热损失、火焰稳定、同时还 有较高能量密度的微尺度燃烧器。本发明微尺度燃烧器包括燃 烧室1，燃烧室1的内壁面2为多孔烧结材料，烧结材料可以 为陶瓷、铜、不锈钢及镍等金属，具有一定
发布时间： 2007-01-03
一种以球花含笑(M. sphaerantha)为母本，云南含 笑(M. yunnanensis)为父本，属内种间杂交 F1筛选培育出来的晚春含笑组 织培养快速繁殖的方法，该
发布时间： 2007-01-03
本发明提供了苯胺齐聚物、其与脂肪族聚酯共聚 物及制备方法。本发明提供了两种从N－苯基－1，4－对苯二 胺出发，合成的苯胺齐聚物，进而与脂肪族聚酯(聚丙交酯或聚 ε－己内酯)共聚得到系列电活性的生
发布时间： 2007-01-03