本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法，该结构包括PMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的P型SiGe层和P型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层
发布时间： 2011-03-30
本发明公开了一种硅基光电器件集成方法，该方法包括：在硅衬底上制备电子学器件；在已经制备硅电子学器件的硅衬底上制备二氧化硅层；在二氧化硅层上制备多晶硅；在多晶硅上制备硅光子学器件；刻蚀过孔，淀积金属实现
发布时间： 2011-03-30
本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采
发布时间： 2011-03-30
本发明公开了一种对石墨或石墨烯进行各向异性刻蚀的方法，以利用这种方法来实现石墨烯晶向定位、石墨烯的加工剪裁及图案化，该方法包括：采用含氢等离子体对石墨或石墨烯的表面进行各向异性刻蚀，在石墨或石墨烯表面
发布时间： 2011-03-30
本发明提供了一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法，在宽带半导体膜电极表面包覆有多种窄带半导体量子点，半导体量子点自宽带半导体表面起由里至外依次叠加，量子点导带位置比宽带半导体高且由
发布时间： 2011-03-30
本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜，该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者
发布时间： 2011-03-30
本发明涉及一种晶界相中添加稀土氢化物提高烧结钕铁硼矫顽力的方法，其特征在于采用单一稀土或混合稀土金属的氢化物作为晶界相加入钕铁硼主相合金达到提高烧结钕铁硼矫顽力。本发明提供了一种添加少量稀土氢化物提高
发布时间： 2011-03-30
本发明有关于一种快速的玻璃图像缺陷检测及分类方法及其装置，其中该方法包括：步骤1，对于输入的玻璃图像进行窗口扫描，根据窗口内灰度分布的均衡性度量，得到候选缺陷窗口；步骤2，根据所述候选缺陷窗口的位置关
发布时间： 2011-03-30
本发明公开了一种基于Hadoop的海量流数据存储和查询方法及系统。所述方法，包括下列步骤：构建段级列簇式存储结构：将流数据依次存储为列簇记录，并对列簇记录从前往后进行压缩得到压缩数据页，将该压缩数据页
发布时间： 2011-03-30
本发明公开了一种GaAs?HBT双边沿触发流水线累加器结构，该结构为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构，N为大于2的自然数，每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和，并且向下
发布时间： 2011-03-30