本发明涉及一种用于口语测试的文本朗读水平自动评估诊断方法，该方法提取测试者按照给定文本进行朗读语音的各项特征；训练朗读特征与人工评分的拟分模型；测试时依据其朗读特征和拟分模型拟合出机器评分，并给出相关
发布时间： 2010-06-16
本发明一种运用计算机对口语翻译质量进行评分的方法综合使用计算机语音识别、语音发音评估、文本翻译质量确认技术得到被测试人员的口语翻译质量，包含建立针对被测试发音人群特点的数据库，然后在此数据库基础上使用
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种二氧化碳超临界流体半导体清洗设备，用于半导体硅片的无水清洗。该设备包括进行超临界流体清洗和超临界干燥的主工作室、分离二氧化碳和清洗废液的分离室、存放增强清洗效果的清洗剂及助溶剂的暂存罐
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种二氧化碳低温气溶胶半导体清洗设备，包括二氧化碳预处理腔、清洗腔、分离腔、二氧化碳循环控制系统和温度及压力控制系统；二氧化碳在预处理腔内进入预设的温度和压力状态后，经清洗腔内的喷嘴上的狭
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧
发布时间： 2010-06-16
本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶
发布时间： 2010-06-16
一种串联电池组均衡设备。在串联的多个电池组中，每个电池组连接一均衡模块；所述的均衡模块由分流模块和反激变压器单元组成。均衡模块中，分流模块跨接在相邻的两节单体电池之间；分流模块中：开关管MOSFET的
发布时间： 2010-06-16
本发明涉及利用磺酸稀土催化剂制备液体聚丁二烯橡胶的方法。催化剂由二元组分组成，稀土有机磺酸化合物为主催化剂，烷基铝为助催化剂；催化剂配制过程中不需添加第三组分，提高了生产效率；溶剂由己烷代替了苯、甲苯
发布时间： 2010-06-16