本发明涉及基于缓存模型的边缘调制器IPQAM频点分配与回收方法，该模型包含服务组数组，数组下标与服务组标识一一对应，数组元素为服务组结构体，服务组结构体包括该服务组内的频点所构成的频点数组以及频点排序
发布时间： 2013-06-05
本发明涉及微电子学技术领域，公开了一种非易失性三维半导体存储器件及其制备方法。该三维半导体存储器含有采用多个有绝缘层隔离的条形导通材料组成的位线；每个条形导通位线在侧向有两个表面区域；与此导通位线正交
发布时间： 2013-06-05
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入
发布时间： 2013-06-05
本发明提供一种平板式固体氧化物燃料电池堆的密封连接装置，包括：连接体、电极和位于连接体及电极之间的电流收集密封层；电流收集密封层，所述电流收集密封层包括电流收集部分，环绕在所述电流收集部分外围的密封填
发布时间： 2013-06-05
本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域
发布时间： 2013-06-05
本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和
发布时间： 2013-06-05
本发明提供一种锌溴蓄电池用电极及其组装的锌溴蓄电池，考虑到锌溴蓄电池无电解液流动的特点，该电极采用基体搭配极膏的方法，在极膏中混入了高浓度的电池活性物质，并加入络合剂及析氢抑制剂，一方面解决了锌溴蓄电
发布时间： 2013-06-05
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO2层；步骤S2：刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低
发布时间： 2013-06-05
本发明公开了一种离子注入机控制系统，包括电源系统，反应腔室、预抽腔室、工控机，工控机，所述工控机控制所述反应腔室、预抽腔室的真空度、硅片反应过程及取片过程。本发明提供的一种离子注入机控制系统采用PXI
发布时间： 2013-06-05
本发明公开了一种新型锂-硫电池及其制备方法。该锂-硫电池包括正极、电解液和含锂负极，所述电解液包含溶剂及电解质，其中，所述正极优选采用不含硫的多孔电极，所述电解液中还含有硫和/或硫化物，所述电解质包括
发布时间： 2013-06-05