磁性多层膜霍尔元件及其制备方法

本发明公开了一种磁性多层膜霍尔元件及其制备方法。所述磁性多层膜霍尔元件包括复合多层结构的磁性多层膜,所述磁性多层膜包括至少一个基本单元,每一所述基本单元包括非磁性金属化合物层MO、磁性金属材料层FM和

发布时间: 2013-06-05

高效低成本染料敏化太阳能电池对电极材料一维铜铟硫-硫化锌异质结纳米晶的制备方法

本发明涉及一种高效低成本的染料敏化太阳能电池的对电极材料一维CuInS2-ZnS的异质结纳米晶的制备方法,利用Cu2S-ZnS异质结构纳米晶为种子,在高温溶液中引入醋酸铟,产生铟离子进入Cu2S-Zn

发布时间: 2013-06-05

一种用于水运仪象台的枢轮控制系统结构

一种用于水运仪象台的枢轮控制系统结构属于古代天文仪器领域。枢轮的枢轮轴与台体之间通过滑动轴承连接;右天锁和左天锁在枢轮之上,天衡在两个天锁之上;天关挂在天衡的尾端,天权挂在天衡的首端,限位块在天衡的首

发布时间: 2013-06-05

一种基于隐结构推理的行为识别方法

本发明公开了一种基于隐结构推理的行为识别方法,包括以下步骤:提取训练数据的局部特征并聚类,构建一个码本词袋,利用局部特征的时空分布建立码本之间的共生关系图,结合局部特征在人体上的分布特性推理出共生关系

发布时间: 2013-06-05

CPU/GPU协同并行计算的混合域全波形反演方法

本发明公开了一种混合域全波形反演方法,相对于传统的方法,本发明的方法通过CPU/GPU协同并行计算,显著提高了计算效率。本发明所公开的方法将全波形反演的正演部分放到时间域,即在时间域做正演,利用DFT

发布时间: 2013-06-05

一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法

本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法,通过抬离(lift-on)技术制作图形化的金属Ni层,通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi2,通过刻蚀工艺控制不同区域

发布时间: 2013-06-05

一种高精度干涉SAR系统性能分析方法

本发明提出一种高精度干涉SAR系统性能分析方法,通过整个闭环的仿真和处理过程来总体验证干涉系统性能。步骤1、根据用户指标需求,采用常规理论公式计算干涉SAR系统参数;步骤2、根据步骤1获得的干涉SAR

发布时间: 2013-06-05

一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法

本发明提供一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法,通过抬离(lift-on)技术制作图形化的金属Co层,然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2,并通过智能剥离工艺对其进行转移,以

发布时间: 2013-06-05

一种高比容量锂离子电池负极材料及其制备方法

本发明涉及本发明提供了一种高比容量锂离子电池负极材料及其制备方法,所提供的高比容量锂离子电池负极材料是锰酸锌与氧化石墨烯通过超声化学水热法制备的原位复合材料,具体步骤为:将锰源、锌源和氧化石墨烯加入到

发布时间: 2013-06-05

紫外发光二极管结构

一种紫外发光二极管结构,包括:一基底;一N型AlGaN层,其制作在基底上,该N型AlGaN层上面的一侧有一台面;一AlGaN量子阱,其制作在N型AlGaN层没有台面一侧的上面;一P型AlGaN层,其制

发布时间: 2013-06-05