本发明提供一种由太赫兹波调控的超晶格器件结构,至少包括：半导体超晶格器件；该半导体超晶格器件设有衬底及位于其上且由势垒和势阱交替堆叠而成的周期性结构；位于该周期性结构上的重掺杂接触层及该重掺杂接触层上
发布时间： 2015-04-01
一种无损捕获高速运动金属物体的电磁装置，其主体结构为两个水平放置，正对布置的，由永磁材料块或者电磁磁体排列成多组同心圆环的碟形结构。两个碟形结构之间的间隙中形成多组同心环状分布NS极性相间的磁场，且磁
发布时间： 2015-04-01
本发明提供了一种染料敏化太阳能电池用对电极的制备方法，对导电基板上电催化活性材料薄膜进行活化处理，其中，活化处理包括等离子体处理、紫外光处理和臭氧处理中至少一种。本发明提出的DSSC用对电极的制备方法
发布时间： 2015-04-01
一种双有源功率桥DC/DC变换器PWM可调双移相的控制方法，通过PWM可调双移相，调节第一全桥(H1)开关管之间的移相角D1、第二全桥(H2)开关管之间的移相角D2，以及第二全桥(H3)单个桥臂(B3
发布时间： 2015-04-01
本发明公开了一种高效提取水中铀酰离子的方法，属于水处理技术领域，其包括如下步骤：在吸附材料表面预先吸附上铀酰离子；将预吸附有铀酰离子的吸附材料投入含有铀酰离子的废水中，搅拌后，进行过滤，收集滤渣。本发
发布时间： 2015-04-01
一种具有氮化镓系高阻层的HEMT，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层生长在衬底上；一高阻层，该高阻层生长在氮化镓成核层上；一氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层生长在高阻层上；一氮化铝插入层，该氮
发布时间： 2015-04-01
采用非球面单透镜作为准直结构的光栅曝光系统，属于新型光学准直结构应用技术领域，为了解决现有光栅曝光系统无法满足曝光系统的精度要求问题，激光束投射到分光器，形成两束有一定角度的相干平行光，两束光分别两套
发布时间： 2015-04-01
本发明提供一种直线电机的活塞气缸结构。包括：活塞、气缸、至少一动对中孔及至少一静对中孔；至少一静对中孔设置在气缸的一侧内壁上，至少一动对中孔设置在活塞上；静对中孔的一端与气缸的背腔连通、且动对中孔的一
发布时间： 2015-04-01
本发明公开了一种等温腔结构，其包括上盖层、位于所述上盖层下侧的下盖层以及接触凸起，所述上盖层和下盖层拼接形成一容置腔；在该容置腔中安装上下分布的烧结块层和泡沫铜层，所述烧结块层和泡沫铜层相接触，且烧结
发布时间： 2015-04-01
本发明涉及石墨烯生长设备技术领域，尤其涉及一种大面积生长石墨烯的装置。包括石英管、通气腔体、金属基底，所述通气腔体内部中空，所述通气腔体为螺旋式柱状结构，所述金属基底的形状与所述通气腔体的形状相匹配，
发布时间： 2015-04-01