本发明提供了一种图像传感器像素电路，包括光电流生成单元和光电流感应单元；所述光电流生成单元包括感光二极管以及第一晶体管，所述感光二极管的正极接地，感光二极管的负极连接第一晶体管的源/漏极，第一晶体管的
发布时间： 2012-07-11
本发明公开了一种混合型CMOS图像传感器及其制作方法，包括：图像传感器，形成于支撑衬底表面；所述支撑衬底的材料是半导体材料；所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域；其特征在于：驱动电路区域的支撑
发布时间： 2012-06-27
本发明公开了一种CMOS图像传感器，感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成，第二掺杂区为PIN结的I型区，多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化
发布时间： 2012-04-25
本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底的顶层半导体层上。感光结构包括横向排列的三个掺杂区，在耗尽区上形成有一厚度非均匀的介质层，在介质层上形成有多晶硅层。感
发布时间： 2011-12-28
本发明提供一种图像传感器的制造方法，包括步骤：提供带有绝缘埋层的半导体衬底；选定图像传感器的感光二极管区域，依次刻蚀顶层半导体层和绝缘层至露出支撑衬底表面；对露出的支撑衬底进行离子注入和扩散形成隔离区
发布时间： 2011-12-21
本发明公开了一种图像传感器，感光结构和像素读出电路都形成于带有绝缘埋层的半导体衬底上，具有高速、低功耗、抗闭锁、抗辐射的优点。感光结构包括横向排列且呈包围式结构四个掺杂区，四个掺杂区中包括一光吸收层和
发布时间： 2012-01-11
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底隔
发布时间： 2012-01-25
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述支撑衬底的材料是半导体材料，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底中具有顶层半导体层，顶层
发布时间： 2012-01-25
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在支撑衬底的驱动电路区域和光学传感区域交界处形成隔离沟槽；在沟槽中填充绝缘介质，以形成绝缘侧墙；在支撑衬底的驱动电路区域
发布时间： 2012-01-25
本发明提供了一种带有绝缘埋层的图像传感器，所述图像传感器形成于支撑衬底表面，所述图像传感器包括驱动电路区域和光学传感区域，驱动电路区域的支撑衬底表面具有顶层半导体层，顶层半导体层通过绝缘埋层与支撑衬底
发布时间： 2012-01-25