本发明提供一种层叠式CMOS图像传感器，至少包括衬底层、层叠覆盖在衬底层上的感光叠层、以及像素读出单元，其中，列总线、放大器、电流源单元、及图像处理单元位于衬底层中；感光叠层包括层叠覆盖在所述衬底层上
发布时间： 2012-08-01
本发明涉及半导体器件领域，公开了一种具有实时显示功能的图像传感器及其制造方法。本发明通过浮动扩散区的光生电压直接控制显示层中液晶材料层的透光率进行显示，减少了外围读出电路，避免了由读出电路中的晶体管产
发布时间： 2012-07-25
本发明涉及图像传感器领域，公开了一种多功能图像传感器及其制作方法。本发明中，在传统的CMOS图像传感器的基础上，增加了新的掺杂区，与感光器件表面上的一个掺杂区形成发光二极管结构，使CMOS图像传感器同
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及电子通信领域，公开了一种UART功能扩展电路及其控制方法。多台设备可以通过一对双绞线使用UART接口实现对等连接，同时UART驱动程序无需修改。本发明中，包括：含UART接口的处理器，一个或
发布时间： 2012-07-04
本发明提供一种CMOS图像传感器，采用包括红外光像元结构及可见光像元结构两种不同的像元结构，在省电模式下只有红外感知的图像传感器工作，将红外感知的像元输出的信号通过比较器与一预设阀值进行比较，若大于所
发布时间： 2012-07-18
本发明涉及图像传感器领域，公开了一种高动态范围图像传感器及其控制方法。本发明中，在每一个像元中设置多个感光器件和转移晶体管，每个积分周期内分别按预定时序先后打开各感光器件与浮空扩散区之间的连接，对各感
发布时间： 2012-07-04
本发明提供一种带有绝缘埋层的图像传感器及其制备方法，该制备方法提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第二半导体衬底上表面定义第I区域和第II区域，并在第I区域开窗口，对准键合第一半导体衬底的上表面及第
发布时间： 2012-07-04
本发明涉及图像传感器领域，公开了一种金属氧化物半导体图像传感器。本发明中，通过金属氧化物半导体图像传感器结构实现了双模读取的功能，可以有效地扩展图像传感器的动态范围，并且电路结构和逻辑控制都比较简单。
发布时间： 2012-06-27
一种图像传感器及其制造方法，包括半导体衬底、光学传感器件、像素读出电路，其特征在于，半导体衬底包括支撑衬底、以及依次覆盖在所述支撑衬底表面的第一绝缘埋层、第一半导体层、第二绝缘埋层和第二半导体层；其中
发布时间： 2012-06-27
本发明提供一种图像传感器制备方法，提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，在第一半导体衬底表面或第二半导体衬底表面形成第二绝缘埋层，键合第一半导体衬底和第二半导体衬底，并使第二绝缘埋层位于第一顶层半导体层
发布时间： 2012-06-20