本发明涉及新资源食品加工技术领域，更具体地说，是涉及一种菊芋全粉的制备方法。以新鲜菊芋为原料，依次经过菊芋清洗脱皮，菊芋切成片、丝或丁，护色，干燥，粉碎后得到菊芋全粉。本发明解决了菊芋全粉生产过程中容
发布时间： 2013-04-03
本发明属于植物施肥技术领域，涉及植物营养平衡施肥技术，具体涉及一种经济植物小粒咖啡栽培过程中的平衡施肥方法。一种小粒咖啡种植的平衡施肥方法，包括以下步骤：A、定植与施基肥；B、土壤样品检测；C、追肥配
发布时间： 2013-04-03
本发明涉及一种抑制脱碳胺吸收剂降解的方法，具体是指通过在胺吸收剂中加入一定量的抗氧化剂来抑制胺吸收剂降解。所用抗氧化剂是指木糖醇，苏糖醇，二苏糖醇，赤酰糖醇，乙二醇，丁二醇以及其它结构类似的醇类化合物
发布时间： 2013-04-03
一种基于局部平滑回归的脑功能区定位方法，对数据进行预处理并确定设计矩阵X；以体素vi为球心、r为半径建立球形选区，提取球形选区中的所有体素的时间序列；根据球形选区内所有体素的时间序列和设计矩阵形成目标
发布时间： 2013-04-03
本发明涉及纠错方法技术领域，公开了一种基于并行编码译码的循环汉明码的纠错方法，包括：先分析传统的串行CRC编码电路的结构得到串行CRC编码电路的六个寄存器中的数据之间的递推关系式；再将递推关系式展开得
发布时间： 2013-04-03
本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的II
发布时间： 2013-04-03
本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括：半导体层；以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET，其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形
发布时间： 2013-04-03
本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一
发布时间： 2013-04-03
本发明提供一种混合共平面衬底结构及其制备方法，所述混合共平面衬底结构包括硅衬底及形成与所述硅衬底上的若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述
发布时间： 2013-04-03
本发明涉及一种三相四线并网PWM整流器电流参考值计算方法，在电网电压不平衡跌落条件下，以消除有功功率波动、抑制直流母线电压波动为控制目标。该计算方法在满足控制目标的前提下，同时可以使得三相电流幅值参考
发布时间： 2013-04-03