本发明提供一种半导体器件局部互连结构的制造方法，通过在半导体衬底上栅极两侧的侧墙与外侧墙之间形成可去除的牺牲侧墙，去除牺牲侧墙后在栅极同一侧的侧墙和外侧墙之间即形成局部互连结构中源/漏区域的接触通孔。
发布时间： 2012-03-14
一种用于紫外光刻机照明系统产生均匀照明的微柱面镜阵列及其设计方法，所述的微柱面镜阵列，包括母线方向分别沿Y和X方向的第一微柱面镜阵列和第二微柱面镜阵列，分别用于产生Y和X方向的均匀光强分布，所述的微柱
发布时间： 2012-03-14
一种基于霍尔效应的MOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上的MOS晶体管，所述半导体衬底上还形成有铁磁区，其中，MOS晶体管的导电沟道位于所述铁磁区的磁场中，所述铁磁区的磁化方向垂直于MOS晶
发布时间： 2012-03-14
本发明公开了一种高硬度高附着力的微纳米结构TiO2涂层及其制备方法。该TiO2涂层的厚度为10μm～100μm，涂层中TiO2的晶相组成为锐钛矿相和金红石相，并且锐钛矿型TiO2占TiO2涂层的质量百
发布时间： 2012-03-14
本发明涉及一种磁性多层膜及其MRAM存储单元。其中，磁性多层膜包括用于产生TMR效应的MTJ多层膜和位于该MTJ多层膜以下的用于产生GMR效应的GMR多层膜，其中MTJ多层膜和GMR多层膜共用自由层，
发布时间： 2012-03-14
本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域
发布时间： 2012-03-14
本发明公开了一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法。无电容动态随机访问存储器结构在满足高碰撞电离率所要求的高漏压的前提下，通过对源漏结区附近采用不同的栅介质材料或者栅介质厚度增大了该区域的栅介
发布时间： 2012-03-14
本发明提供了一种钒基多元镀膜液和二氧化钒基复合薄膜及其制备方法。所述的钒基多元镀膜液包括如下组分：可溶性钒盐、可溶性锆盐和溶剂；其中，钒离子的浓度为0.01～6.0mol/L，锆离子与钒离子的摩尔比为
发布时间： 2012-03-14
本发明涉及一种用于样品安瓿的锁紧机构，该锁紧机构包括同轴设置的锁紧螺芯、夹紧仓锁紧母和夹紧仓；所述的夹紧仓呈圆筒状，用于容纳样品安瓿；该夹紧仓的一端设有锁紧稍面；所述的锁紧螺芯包括两段内径不同的圆筒，
发布时间： 2012-03-14
本发明公开了一种等离子体浸没注入机的注入离子剂量检测控制装置，属于微电子技术领域。所述装置包括用于诊断等离子体离子密度、电子密度、等离子体电势与等离子体电子温度等特性参数的诊断单元；用于获得等离子体中
发布时间： 2012-03-14