一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型
发布时间： 2011-11-23
本发明提供一种基于SOI材料的MOS电容器及其制作方法，该方法是提供一具有顶层、隐埋氧化层、衬底层的SOI基板，在该顶层上光刻出多个硅岛，在去除硅岛表面的光刻胶及自然氧化层后，在该顶层上生长高k栅介质
发布时间： 2011-11-23
本发明涉及一种嵌入式终端中浏览器中嵌入OpenGL?ES的方法，包括以下步骤：响应用户访问网站的指令，启动浏览器容器；当页面呈现不涉及三维效果时，仅运行所述浏览器容器；当页面呈现涉及三维效果时，启动O
发布时间： 2011-11-23
本发明涉及一种在深反应离子(DRIE)形成的深 沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上 的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传 感器技术领域。其特征在于为实现电阻间
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本发明公开一种激光通信中跟踪相机兼容实现链路效率的检测方法。利用激光通信中ATP系统的跟踪相机测算信标光光斑质心的同时计算接收光束能量。它采用激光器、衰减片、分光棱镜、CMOS相机、光功率计等组成地面
发布时间： 2011-11-23
一种电力电子故障限流器，采用单元化的结构设计，每个单元由限流电阻和电流电感支路组成，限流电感支路提供暂态限流阻抗，限制故障电流的上升速率，而由晶闸管组成的开关在电网线电流的幅值降到零时自然切断限流电感
发布时间： 2011-11-23
本发明提出一种半导体结构及其形成方法，该结构包括：半导体衬底，以及形成于所述半导体衬底上的nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和pMOSFET区上分别形成有nMOSFET结构和pM
发布时间： 2011-11-23
本发明公开了一种制备稀土贮存式氧化物阴极的方法，涉及电真空技术，其步骤为：将BaCO3、CaCO3、Al2O3按克分子比5∶(1～3)∶2球磨混合100小时后压制成块状，然后在CO2气氛中1150±5
发布时间： 2011-11-23
本发明公开了一种面向全球变化研究的空间科学数据自动汇聚方法，属于信息技术领域。本方法为：1)服务器定期对数据源进行访问，生成下载任务；2)根据当前下载任务，下载元数据文件并保存到服务器，对下载的文件进
发布时间： 2011-11-23
控制超导磁悬浮转子平衡的装置，包括转子腔外壳(1)、超导转子(2)。空心的超导转子(2)套在中心柱定子(5)上，中心柱定子(5)为圆柱形空筒，筒内上下两端关于中心对称布置有调节线圈(4、14)。旋转轴
发布时间： 2011-11-23