本发明提供一种薄GOI晶片及其制备方法，本发明采用高低温生长Ge薄膜的方法，使穿透位错等缺陷被限制在一个薄层内，并结合SmartCut技术，实现了一种顶层Ge薄膜厚度几十纳米至上百纳米可控的GOI衬底
发布时间： 2011-12-21
本发明公开了一种SRAM存储器，包括由第一至第六P型MOS管(P1-P6)、第一至第四N型MOS管(N1-N4)构成的存储单元。所述第三P型MOS管(P3)和第四P型MOS管(P4)的栅极均与字线非信
发布时间： 2011-12-21
一种金属磁记忆定量检测方法，其特征在于利用描述固态微结构演变、微弹性特性的相场方法，综合考虑铁磁构件外应力、地磁场和内应力集中对应的能量多样性，通过磁畴演化、结构微弹性理论，建立外应力与构件内磁性源和
发布时间： 2011-12-21
本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及制作方法，其特征在于薄膜锂电池组成为：①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜；②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜，作为阳极薄膜，氮化镍钴薄膜的组成通式为Com
发布时间： 2011-12-21
本发明提供一种面向分布式工作流的数据流的调度方法和系统，该方法包括：10)对于运行时新产生数据是可移动数据的情况，确定新产生数据和现有数据集的协作关系的紧密程度；20)根据新产生数据和现有数据集的协作
发布时间： 2011-12-21
本发明公开一种真空感应熔炼Ti－Al－Nb－B 合金的工艺。采用热力学稳定的CaO坩埚并在正压氩气气氛下 感应熔炼Ti－Al－Nb－B合金，具体为：按合金要求的原子比 取工业纯Al、Nb－1条或
发布时间： 0000-00-00
一种真空感应熔炼Ti－Ni及Ti－Ni－Nb形状记 忆合金的工艺，采用CaO坩埚熔炼合金；按合金要求的比例装 炉，Ti－Ni合金：Ni及15～25％的Ti装入坩埚中，剩余75～ 85％的Ti和强
发布时间： 0000-00-00
本发明涉及一种谐振线圈的制造工艺，包括下述 工艺步骤：(1)选用0.35－1mm的漆包线绕制线圈，在线圈绕 制时，线圈匝间绝缘除常规漆包外还添加匝间环氧树脂：同时 在线圈层间绝缘采用青稞纸，并刷
发布时间： 2003-07-09
本发明涉及一种电磁铁线圈的制造新工艺，该工 艺包括下述步骤：(1)在绕制的线圈外采用与环氧不粘或粘接不 牢的绝缘带包扎；(2)然后将包扎的线圈置于真空浇铸模具中进 行环氧浇铸；在浇铸前先对真空模
发布时间： 2003-07-09