一种半导体结构

本实用新型提供了一种半导体结构,该半导体结构包括衬底、栅极堆叠、第一介质层、第二介质层和接触塞,其中:所述源/漏区嵌于所述衬底中;所述栅极堆叠形成在所述衬底之上;所述第一介质层覆盖所述源/漏区,所述第

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防止杂晶堵塞对流孔的水热釜

本实用新型提供一种水热釜挡流板。该水热釜挡流板嵌入中空的弯管,水热釜溶解区的培养料通过中空弯管的孔道输运到水热釜的生长区。为防止出现传统挡流板存在的杂晶堵塞对流孔的问题,保证溶解区往生长区养料输运的持

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一种暗电平指标可控的成像系统和方法

本发明涉及一种暗电平指标可控的成像系统和方法,包括暗电平测试环境、实时图像采集与显示系统以及光电成像传感器、运算放大器、图像信号处理芯片、开关控制电路、模拟开关和参考电平补偿网络,光电成像传感器的输出

发布时间: 2013-02-06

螺旋型多间隙高频谐振装置及聚束和加速方法

本发明涉及高频谐振装置,尤其涉及重离子加速器使用的高频谐振装置。一种螺旋型多间隙高频谐振装置,包括腔体,在腔体上设有耦合器支架,所述空腔内设有同轴设置的第一漂移管、第二漂移管、第三漂移管、第四漂移管、

发布时间: 2013-02-06

采用全反棱镜实现3×3面阵探测器的无缝拼接方法

采用全反棱镜实现3×3面阵探测器的无缝拼接方法,实现了3×3模式共9片面阵探测器组合形成的像面无缝拼接,本发明采用全反棱镜组合实现像面分光,在光轴垂直透射像面上布置3块面阵探测器,在4个侧面布置6块面

发布时间: 2013-02-06

一种富锂锰基正极材料及其制备方法

本发明公开了一种富锂锰基正极材料及其制备方法,包括步骤:(a)提供含有(i)锂化合物、镍化合物和锰化合物,和任选的(ii)钛化合物、铁化合物、钴化合物或其组合的混合溶液;(b)向所述的混合溶液中加入用

发布时间: 2013-02-06

基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法

本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管,其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区;所述有源区一端形成有集电极,

发布时间: 2013-02-06

矿井顶板危险报警的方法

本发明提供了一种矿井顶板危险报警的方法。本方法中,采集多传感器数据,利用模糊综合评定方法建立数学模型对采集的多传感器数据进行融合和分析,获得煤矿顶板安全级别的判定,并根据该安全级别进行报警。本发明以传

发布时间: 2013-02-06

一种同时测量浊度和粒径的激光在线传感装置及方法

一种同时测量浊度和粒径的激光在线传感装置及方法,包括激光器调制模块、激光器、光纤、光纤环行器、光纤聚焦器、光电探测器、放大解调电路、自相关器、计算机构成,其特征在于采用光纤环行器、光纤聚焦器和自相关器

发布时间: 2013-02-06

一种基于映射表的应用层数据中继传输方法及装置

本发明涉及一种基于映射表的应用层数据中继传输方法及装置。该映射表包括接收侧表项与发送侧表项的映射关系,该方法包括以下步骤:根据接收侧表项,接收与所述接收侧表项匹配的网络数据包,所述网络数据包包括应用层

发布时间: 2013-02-06