本发明涉及一种体硅微机械谐振器及制作方法，其特征在于所述的谐振器是由衬底硅片、结构硅片及盖板硅片三层键合在一起形成的，衬底硅片的正面与结构硅片的背面，结构硅片的正面与盖板硅片的背面分别通过键合黏合在一
发布时间： 2010-10-20
本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0
发布时间： 2010-10-20
本发明公开了一种细长型的碲镉汞单元光导探测器，该探测器包括在碲镉汞薄片上，通过光刻形成光敏区、电极区、电阻区。其特征在于它比一般的光导探测器多一个电阻区。电阻区的作用主要是为了减小探测器的电阻，而且对
发布时间： 2010-10-20
本发明涉及一种基于单晶硅衬底的宽谱宽角吸收太阳电池类蛾眼减反结构及其制作方法，其特征在于借助仿生学原理，采用类蛾眼微纳结构作为减反层，增加光能捕获；微纳结构是采用拉膜(LM)法形成密集单层硅或硅化物颗
发布时间： 2010-10-20
本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔
发布时间： 2010-10-20
本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey结构的多层材料，其中0＜x＜1，0＜y＜1，Si1-xGex为外延材料的上表面。控制
发布时间： 2010-10-20
本发明涉及一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Siepi/Si1-xGex结构的多层材料，其中0＜x＜1，Siepi为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex
发布时间： 2010-10-20
本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层
发布时间： 2010-10-20
本发明公开了一种移动对象路网匹配轨迹的采集方法，属于时态空间数据库领域以及智能交通系统领域。本发明方法包括：a)移动对象采集mv序列，并成批地将其发送至服务器，mv表示移动矢量；b)服务器对mv序列中
发布时间： 2010-10-20
本发明涉及一种基于骨架点云的树木建模方法。该方法以手工勾画的树木主枝和树冠轮廓作为输入自动创建树木模型，其主要步骤包括：通过像素分析从勾画的笔画中提取二维骨架、由两个二维骨架构建三维骨架点云、在三维点
发布时间： 2010-10-20