一种硼（B）扩散掺杂的方法，其步骤如下：（1）腐蚀清洗待掺杂的衬底表面，清洗完成后将衬底干燥；（2）扩散炉升温，同时向扩散石英管内导入大氮；当温度达到850-1050°C后，将步骤（1）制备好的清洁衬
发布时间： 2012-11-28
本发明属于生物医学技术领域，具体的说是一种昆嵛林蛙抗菌肽Kunyuenin及其制备和应用。昆嵛林蛙抗菌肽Kunyuenin为环状多肽，分子量1584.97Da，等电点8.96。本发明所得抗菌肽Kuny
发布时间： 2012-11-28
本发明属医药技术领域，涉及从白桂木中分离得到的式（I）结构的异戊烯基黄酮化合物及其用途。该化合物经胰脂肪酶的抑制活性试验，结果显示具有明显的胰脂肪酶抑制活性。该化合物可作为制备新的预防或治疗肥胖症及相
发布时间： 2012-11-28
本发明公开了一种安全加密协处理器及无线传感器网络节点芯片。所述安全加密协处理器，包括：密钥提取模块，用于抽取所需的程序片段作为密钥元素，并与本地传感器网络节点的密钥元素联合组成会话密钥，将会话密钥通过
发布时间： 2012-11-28
本申请公开了一种MOSFET结构及其制作方法。该MOSFET结构包括：半导体衬底；栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；第一侧墙，至少环绕所述高
发布时间： 2012-02-08
本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100
发布时间： 2012-02-08
本发明涉及一种基于单帧红外图像的点目标的实时检测方法，该方法对每个像元进行如下处理：(1)通过对像元与其3×3邻域内其他像元进行灰度比较，判断该像元是否是邻域极大值点；(2)计算以该像元为中心像元的3
发布时间： 2012-02-08
本发明提供一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，主要解决了现有光学元件，尤其是非球面光学元件加工时成本较高，加工效率较低的问题。该辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，包括用于承载被加工元件的承载机构和腐蚀液储液
发布时间： 2012-11-28
本发明涉及卤氧化物光催化材料及其制备方法，属于光催化材料领域。本发明利用固相或液相法制备卤氧化物光催化材料，其特征在于其化学组成为BiOX，X＝Cl，Br，I，[Bi2O2]与[X]结构层沿c轴方向交
发布时间： 2012-11-28
本发明公开了一种超疏水-超亲油高分子多孔膜、其制备方法及应用。该高分子多孔膜表面具有微纳结构、膜内具有纳米级和/或微米/亚微米级孔道，膜厚度从几十纳米到毫米可控，可用于油水（包括乳化油水）分离；其制备
发布时间： 2012-11-28