本发明涉及互联网信息检索，公开一种基于小样本集的互联网作弊 检测方法，以打击日益严峻的搜索引擎作弊行为，本发明针对检测样本 收集成本高这一难题，利用基于分类器的自学习和基于互联网拓扑结构 的链接学习过
发布时间： 2009-01-21
本发明属于计算机软件领域，具体涉及一种基于模型同步的软件工具集成方法。本发 明通过设立同步规则，建立模型同步框架，实现模型间自动的细粒度同步转换，完成软件 工具的集成。本发明的方法以模型同步的方式满足
发布时间： 2009-01-21
一种实现超分辨成像功能的金属介质膜结构，其特征在于包括下列步骤：(1)选择入射 光，其波长为λ；(2)选择金属材料和介质材料，介电常数分别为εm和εd；(3
发布时间： 2009-01-21
本发明涉及一种全极化综合孔径微波辐射计，包括依次连接的天线阵列、 接收机阵列、相关器单元、控制和数据处理单元，所述控制和数据处理单元 与计算机或数据接口连接；其特征在于，所述天线阵列是一维天线阵列，该
发布时间： 2009-01-21
本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组
发布时间： 2012-01-11
本发明公开了一种温度感知射频标签及判断其保存温度变化是否超出许可范围的方法和系统，该射频标签包括：天线；集成电路，与所述天线相连；以及至少一个温度传感器，该温度传感器包括：两个电容器极板、介质材料、介
发布时间： 2012-01-11
本发明提供一种网站推荐方法和系统以及网络服务器，其中，该方法包括：网络服务器根据预设时间段内用户的上网信息获取用户访问的网站的特征信息，根据特征信息对用户进行聚类获取多个用户簇，以便在接收用户终端发送
发布时间： 2012-01-11
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括：栅极、源区、漏区和体接触区，其中，半导体衬底包括有源区，该有源区包括位于栅极内侧的第一区，位于栅极外侧、与栅
发布时间： 2012-01-11
本发明提出一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器，包括：栅极、源极和漏极；被设置用于在所述源极和漏极之间形成导电沟道的半导体层；和位于所述半导体层与所述栅极之间的栅极介质层；其中该栅极介质层包括第一、第二
发布时间： 2012-01-11
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：SOI衬底；半导体鳍片，形成于SOI衬底上，鳍片包括立于SOI衬底表面相对的第一侧面和第二侧面，第二侧面相对于第一侧面的中间位置具有凹槽，凹槽背离第
发布时间： 2012-01-11