本发明涉及一种无钎焊层的、热耦合面高绝缘、低热阻的热电模块的制造方法，包括步骤：用注塑方法制造镶嵌至少二个金属电联接端子的绝缘框架，绝缘框架设置有若干放置热电元件的通孔，绝缘框架的边框中设置对应金属电
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本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，纳米电极下的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质下的硅衬底作为栅
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本发明公开了一种抑制高介电常数(k)栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法，该方法包括：在硅衬底上生长SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积金属栅电极；以及在
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本发明公开了一种产生磁场的装置，放置于低温探针台的真空腔室内，为待测器件提供磁场，该装置利用低温探针台的样品托盘上两个对称的固定螺孔，安装两根平行且垂直放置的螺栓，将两根永磁铁分别套在螺栓上，并用螺冒
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本发明公开了一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，该限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号输入到电压比较器
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本发明公开了一种阻变存储器的检测电路及检测设备。检测电路为：设置字线的电压为预定的读取电压并检测阻变存储器中流动的电流值，在合理的选择取样电阻后，通过比较读取电压和取样电阻上的电压，从而读出存储器中的
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本发明揭示了一种相变存储器，所述相变存储器包括数条存储翼plane；所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO，每个block对应一个FIFO；其中，n为相变存储器并行读写位数；
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本发明揭示了一种相变存储器的猝发写方法，所述方法包括如下步骤：并行写的每一位配备有一个独立的先入先出堆栈FIFO；相变存储器外部总线以设定的频率将写入数据输入到并行写每一位对应的FIFO中；并行写的每
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本发明公开了一种利用电容驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法。该电路由多个用以存储电能且具有不同容值的电容、多个电压源、一电阻转变型存储器和一开关转换电路构成，所述多个电容通过开关转换电路连接
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本发明揭示了一种空间光调制器的驱动电路，基于多量子阱的空间光调制器前向连接有一驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括信号相连的数模转换单元和驱动像素阵列，以及信号连接至两者的控制电路，其中所述数模转换
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