本发明公开了一种适用于雨量资料短缺地区泥石流预警的方法。针对现有技术中无法计算确定缺乏短历时雨量资料地区泥石流预警系统的预警雨量阈值的技术缺陷，本发明提供了一种泥石流预警方法。本方法首先分析雨量资料短
发布时间： 2011-08-31
本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方 法，其特征在于采用不同带隙结构材料α-SiC、αGexSi1-x、μ-Si作为吸收层， 组成三
发布时间： 2009-03-11
本发明公开了一种环氧胶阵列的制作方法，它适用于制作红外焦平面探测 器组件的封装结构试验模拟件。本发明的制作方法包括：光刻胶柱阵列图形， 匀环氧胶，环氧胶固化，浮光刻胶，去除多余环氧胶和点液态环氧胶工艺
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上 的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽 斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料 结构的
发布时间： 2009-03-11
一种发射极环绕型太阳电池及其制备方法。该电池在硅片1内部含有按六方点阵排布的， 贯穿硅片1迎光面和背光面的通孔2的阵列，从而将通孔的数量最小化，减少硅片在制孔工 艺过程中的破碎率；在硅片1背光面上含有
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于 利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒 高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd<
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及化合物半导体器件技术领域，具体涉及一种背栅ZnO纳米线场 效应管的制备方法。本发明采用ZnO纳米线作为场效应晶体管沟道，采用凹槽 和十字两种方法实现纳米线到器件衬底的沉积和定位，采用Ti/A
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用 Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双 层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束 对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束 对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻， 在电子
发布时间： 2009-03-11
本发明涉及单片微波集成电路技术领域，公开了一种GaAs PIN二极 管等效电路，该电路由P+N-结等效电路单元、本征区等效电路单元和N-N+ 结等效电路单元依次串联构成。利用本发明，实现了对P+N-结
发布时间： 2009-03-11