本发明涉及或门逻辑电路及其形成方法。该或门逻辑电路，包括第一输 入端，接收第一输入电压信号；第二输入端，接收第二输入电压信号；第一 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第一输入端；
发布时间： 2009-05-13
本发明涉及非门逻辑电路及其形成方法。该非门逻辑电路，包括：一输 入端，用于接收输入电压信号；一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管， 其栅电极耦接至所述输入端，其源电极耦接至接地点；一耗尽型背栅氧化锌
发布时间： 2009-05-13
本发明提供一种符合AXI协议的多处理器系统，包括至少两个包含有 一级缓存的处理器核，以及至少两个二级缓存，处理器核与二级缓存间通 过总线连接；总线包括读地址通道、读数据通道、写地址通道、写数据通 道以
发布时间： 2009-05-13
本发明公开了一种非确认模式数据传输的方法和系统。该方法包括下列步 骤：发送侧建立发送侧无线承载逻辑信道信息队列，并根据MAC层分配的带宽 对上层数据包进行分段打包，将由数据包分段组成的RLC PDU发
发布时间： 2009-05-13
本发明公开了一种对正交频分复用通信系统信号进行定时估计的方 法，包括：A.输入两路数据信号r(d)，计算得到两路数据信号的相关值 C(d)＝r*(d)r(d+N/2)和数据信号能
发布时间： 2009-05-13
本发明涉及一种集成芯片参数配置的系统及方法，系统包括一个主控模块 和多个终端模块，所述终端模块包括配置寄存器，所述主控模块，用于通过配 置总线将配置命令发送给各个所述终端模块；所述终端模块，用于接收所
发布时间： 2009-05-13
本发明公开了一种三维CMOS与分子开关器件的混合集成电路结构 的制备方法，包括：在基片制备标准的CMOS器件；在该CMOS器件上 覆盖一层钝化层；对该钝化层进行光刻、刻蚀形成通孔；沉积金属填充通 孔，
发布时间： 2009-05-13
本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制 备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面 形成背栅电极；在P+-Si衬底的正
发布时间： 2009-05-13
本发明涉及微电子技术中的深亚微米、纳米加工技术领域，公开了一 种微尖端阵列器件，该器件由微尖端阵列、COMS控制电路单元和连接柱 构成；微尖端阵列包括多个微尖端，每个微尖端通过一个连接柱与COMS 控
发布时间： 2009-05-13
本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体 管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储 单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通
发布时间： 2009-05-13