本发明公开了一种电机调速系统抗饱和PID控制方法，在普通PID控制器中加入积分预测器，当执行器发生饱和时，积分状态预测器利用控制指令值和系统输出值的误差e、该误差的微分值以及限制器输出值共同计算稳态积
发布时间： 2012-08-01
本发明公开了一种有多色响应的量子点红外探测器，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上；一组分渐变AlGaAs层制作在下GaAs隔离层上
发布时间： 2012-08-01
公开了一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；通过体引出引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。本发明提供的一种栅下体
发布时间： 2012-08-01
本发明公开了一种半导体存储器件的复位方法，属于存储器技术领域。所述方法包括：对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；执行第一轮软编程操作，将所述半导体存
发布时间： 2012-08-01
本发明公开了一种缩张型土石混合体原位力学性能测量装置，包括：探杆、筒形密封腔、底座、扩张杆、扩张板、刚性空心杆和卡具等，探杆具有预定的长度；筒形密封腔，可沿径向膨胀；底座套设在密封腔的另一端；扩张杆一
发布时间： 2012-08-01
本发明提供一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法，先选择基底材料；在基底表面旋涂牺牲层，其厚度为d1；在牺牲层上沉积平面多层膜，包括可用于激发表面等离子体的金属膜层和介质膜层，多层膜的厚度为d2；在多层
发布时间： 2012-08-01
本发明涉及一种线位移测量方法及测量装置；所述方法包括下列步骤：分别采集并记录发光单元光功率密度为I1、I2时光电接收单元各个像元输出的灰度响应值，计算所有像元灰度响应值的算术平均值；计算出各个像元的灵
发布时间： 2012-08-01
本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可
发布时间： 2012-08-01
本发明提供了一种碎片数据类型的识别方法，包括以下步骤：首先，提取待测试碎片数据x的字节频率分布F(x)；而后，通过公式计算待测试碎片数据x与某一样本S之间字节频率分布的相似度Tx，接着，判定所述待测试
发布时间： 2012-08-01
本发明提供一种实现曲面到平面超分辨缩小成像光刻的透镜，该透镜包括：可以传输光的平面多层金属-介质膜、可以缩小成像的曲面多层膜、金属掩模结构、粘连剂层及基底。本发明所述透镜简单，可行性高，只需要常规的涂
发布时间： 2012-08-01