本发明涉及一种基于高速通信调制器复用的智能天线波束成形前端，包括射频本振、功率放大器、基带电路、波形生成电路、数字/模拟转换控制电路、以及一个以上的高速矢量调制器和天线。射频本振提供的载波振荡信号经功
发布时间： 2010-12-22
本发明涉及包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料。一种热电材料，其包括具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构：在公式中，A选自钡，锶，和铕；X选自硅，锗，和锡；M选自铝，镓，和
发布时间： 2010-12-22
本发明提供一种产生高能量飞秒脉冲的全光纤结构激光系统，旨在解决目前掺铒光纤激光器脉冲能量低、稳定性差的技术问题。该全光纤结构激光系统包括用于产生高能量脉冲的环形激光器和用于脉冲压缩的单模光纤，其中环形
发布时间： 2010-12-22
本发明公开了一种基于单块周期极化晶体输出双波长激光和太赫兹波的装置，包括全反镜(1)、侧泵激光头(2)、声光Q开关(3)、平凹镜(4)、周期极化晶体(5)、控温炉(6)和平面输出镜(7)，其中控温炉(
发布时间： 2010-12-22
本发明公开了一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法。用于测定的有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的
发布时间： 2010-12-22
太阳能电池表面减反射结构的制作系统及制作方法，其特征是用激光干涉光刻系统，将多个相干激光束组合，对干涉场内的光强度分布进行强弱调制，用调制后重新分布的激光能量烧蚀光电池器件材料表面，在大面积范围内产生
发布时间： 2010-12-22
本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管，该GaAs肖特基变容二极管包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底；在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层，在N+层上继续外延生长的
发布时间： 2010-12-22
本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源
发布时间： 2010-12-22
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时
发布时间： 2010-12-22
本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的
发布时间： 2010-12-22