本发明涉及射频功率器件领域，公开了一种具有紧密体接触的射 频SOI LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N- 区、栅氧化层、多晶硅栅层、
发布时间： 2009-08-26
本发明公开了一种制备超结VDMOS器件的方法，包括：在衬底 上外延生长体硅，场区氧化形成场区氧化层；刻蚀形成有源区，在有 源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层，等离子刻蚀多晶 硅和氧化层形
发布时间： 2009-08-26
本发明公开了一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法，包括如下 步骤：选择硅衬底；采用金属有机物汽相外延方法，在硅衬底上生长 一层铝；在硅衬底上生长铝后生长一层氮化铝成核层；在该氮化铝成 核层上生长铝和氮化
发布时间： 2009-08-26
本发明提出一种基于图像的个性化真实感虚拟人物造型方法。由正面、 侧面、背面四幅人体的图像，快速地生成具有真实感外观的个性化三维人 体模型。步骤包括：以基于扫掠曲面的人体模型为人体模板模型；从图像 中提
发布时间： 2009-08-26
本发明公开了一种攻击时漏洞检测方法及其系统，属于网络安全领域。本发明方法为： 被分析的程序加载到虚拟机后，识别虚拟机当前运行的进程是否属于被分析的程序；如果 是则判断当前代码是否处于循环中，如果处于循
发布时间： 2009-08-26
本发明公开了一种实现观点搜索引擎排序的方法，包括：使用网 络爬虫对用户评论网页进行抓取，对抓取的网页进行预处理，从预处 理后的网页中提取出用户评论信息；使用数据挖掘技术从该用户评论 信息中提取产品的属
发布时间： 2009-08-26
本发明涉及一种合成单或双马来酰亚胺衍生物的方法。该法采用单或双马来酰胺酸为原料，在强酸性室温离子液体介质中，环化反应可得到80％以上收率的目标产物。本合成路线革除了传统合成方法中使用的脱水剂醋酐，也避
发布时间： 2012-02-29
本发明提供用于机群文件系统中的元数据存储系统和管理方法。其中，用DRAM+SSD+HDD三层架构来存储机群文件系统的元数据，将元数据按照写入的时间依次顺序写入DRAM中的元数据缓冲区中。当一个元数据缓
发布时间： 2012-02-29
本发明消除海面合成孔径雷达成像中时变模糊效应的方法： 用常规SAR成像算法对海面SAR回波初成像，获得带有时变模糊 效应的SAR海面图像；用波浪谱反演算，在SAR海面图像中估计 波浪主分量的方位向波数
发布时间： 2009-08-26
本实用新型涉及一种电子束焊直流伺服驱动装置，包括：宽范围供电电源模块、开关量模块、模拟量模块、功率驱动模块以及极限电流报警模块，其中开关量模块与模拟量模块接收外部信号，转换后送入控制模块，控制模块输出
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