本发明涉及到一种垂直腔面发射激光器，特别是一种通过出射光窗口电 极结构控制偏振的垂直腔面发射激光器，包括p型DBR层、有源层、n型 DBR层、GaAs衬底、包覆在p型DBR层上的p面电极和敷设在GaA
发布时间： 2009-09-02
本发明公开了一种乙烯双键桥连NDI基共轭聚合物及其制备方法与应用。该聚合物如式I所示。本发明提供的聚合路线简单高效、原料供应广泛、合成成本低，具有很好普适性和高的重复性等优点，可以推广应用到其他各种取
发布时间： 2013-04-03
本发明涉及一种人工修饰的干扰素及其制备方法，所述干扰素经PEG修饰并与长链脂肪酸或其衍生物或短肽偶联。本发明提供的干扰素既具有较长的体内半衰期，还保持了较高的体内生物活性。
发布时间： 2013-04-03
本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相 变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺 寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区
发布时间： 2009-09-02
一种用于薄膜太阳电池的陷光结构，其基本特征在于这种陷光结构处在太阳电池光吸收 区的背光面，从太阳电池光吸收区一侧开始依次包括衍射光栅1，分布布拉格反射器(DBR) 2和金属反射器3。衍射光栅1提高光的
发布时间： 2009-09-02
本发明涉及纳米器件制作技术领域的一种单电子存储器的制备方法。为了 解决现有单电子存储器制备技术中工艺步骤复杂的缺点，本发明的目的在于提 供一种单电子存储器的制备方法，采用电子束光刻技术和刻蚀技术制作电
发布时间： 2009-09-02
一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去 除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法 在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接
发布时间： 2009-09-02
本发明的公开了一种快速拍摄方法及电子设备，其中，方法包括：在所述电子设备处于所述非正常工作状态下，获得第二拍摄指令；在所述电子设备处于所述非正常工作状态下根据所述第二拍摄指令，控制所述图像采集单元处于
发布时间： 2013-04-03
本发明提供一种路径确定方法及电子设备，其中，方法包括：接收输入的目标位置；根据所述目标位置，获得电子地图中距离所述目标位置一预定范围内的至少一个指引位置；确定并显示从当前位置到所述至少一个指引位置中的
发布时间： 2013-04-03
本发明提供了一种信息发送方法、信息接收方法及电子设备，所述第一电子设备上显示第一界面，所述信息发送方法包括：获取信息发送命令；获取与所述第一界面相关的显示信息；以及将所述显示信息经由通信链路发送至第二
发布时间： 2013-04-03