一种基于近紫外光激发的红色荧光粉及其制备方法和应用属于发光技术领域，该红色荧光粉的化学式为：B3-m-nAl2O5Cl2：Eu2+m，R3+n，其中，B为Sr或Ba中的一种或两种；R为Dy、Nd、Tm
发布时间： 2011-12-28
本发明公开了一种靶向分子受体检测方法，(1)制作细胞样品：将聚酰胺-氨树状大分子衍生物3以及相应的靶向分子受体共同孵育，使靶向分子受体摄取所述衍生物3中的靶向分子；(2)采用同步辐射x射线显微微探针技
发布时间： 2011-12-28
本发明属于海洋监测领域，具体地说是一种微电极油膜厚度测定装置及其测定方法，装置包括支架平台、步进器、电导读数器及电导微电极，其中步进器及电导读数器分别安装在支架平台上；步进器上安装有粗、微调旋钮，电导
发布时间： 2011-12-28
本发明属于网络通信技术，具体地说是一种基于SEMI标准的SECS通 信方法。包括HSMS通信模块实现设备到主机的连接，并通过网络进行数 据传输步骤；及通过SECS协议模块进行SECS II编解码，实施
发布时间： 2009-10-07
一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流 的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉 冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变
发布时间： 2009-10-07
本发明提供一种随机测试程序生成方法，包括下列步骤：1)编写并 解析指令模板，并构建约束网络；2)利用小桶间的相容度计算小桶的计 数函数；3)基于所述计数函数根据所述约束网络来计算随机变量的随机 解；4
发布时间： 2009-10-07
本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管 (DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基 极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型 InG
发布时间： 2009-10-07
本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法， 该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀； 对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，
发布时间： 2009-10-07
本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线 固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层5214原胶，采用 阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214 原
发布时间： 2009-10-07
本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法， 该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻，显 影形成按照一定规律排列的十字；蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以 及十字
发布时间： 2009-10-07