本发明提供一种转发节点选取方法，用于在包括服务节点、转发节点 和用户节点的覆盖网上为源用户节点选取合适的转发节点以构建从源用 户节点到目的用户节点的备用路径，该方法包括：根据源用户节点的位置 和该源用
发布时间： 2009-10-21
本发明提供一种覆盖网备用路径生成方法，该方法包括：利用覆盖网 中的标志服务器节点对转发节点做网络测距，计算任意两个转发节点间的 综合性能相似度，由综合性能相似度为具有相近性能的转发节点构建逻辑 转发网
发布时间： 2009-10-21
本发明属于一种颜色可调有机电致发光器件及其制备方法。采用 真空蒸镀工艺，通过掺入有机电子传输材料来平衡载流子注入能力， 进而提高器件复合几率；并且有机电子传输材料的掺入能够拓宽发光 区间、减弱激子淬灭
发布时间： 2009-10-21
本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元，包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路，光电二极管用于采集入射光线的原始信息，将采集的目标图像光信号转
发布时间： 2012-05-09
本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供p型场效应晶体管，所述晶体管在衬底上包括栅极；在所述晶体管上形成拉应力层；对所述拉应力层进行图案化，从而在晶体管沟道内产生压应力；以及进行退火，以记忆晶
发布时间： 2012-05-09
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种改善SOI电路ESD防护 网络用的电阻结构。该结构通过利用硅化物的导体特性，克服了半导 体载流子导电电阻结构在高温时由于本征电离效应出现的电阻负温度 特性问题，使得
发布时间： 2009-10-21
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种SOI电路ESD全局保护 结构，包括：一种初级ESD保护结构和一种次级ESD保护结构保护输 入端；一种智能电阻ESD保护结构和一种RC电路控制的输出泻流管 结构加一
发布时间： 2009-10-21
本发明公开了一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法，该 方法包括：在封装管壳上制作一电源线环路和一地线环路；在电源线 环路与地线环路之间连接一或多个电容和一电阻；将集成电路芯片的 一个或多个与芯片内
发布时间： 2009-10-21
本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化 的方法，包括：A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属 蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作 的基础上，旋涂
发布时间： 2009-10-21
本发明公开了一种用于监控介质平坦化过程的方法，包括：A.在 制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B. 在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显 影，在监控图形
发布时间： 2009-10-21