三维光子限制光学微腔结构及其制备方法

本发明涉及半导体光电子光学领域,提供了一种三维光子限制光学微腔结构及其制备方法,其制备方法具体包括:提供硅衬底,利用光刻及刻蚀工艺在硅衬底上制备微米级的凹坑结构;在所述硅衬底的凹坑上沉积凹形布拉格反射

发布时间: 2012-12-26

磁控溅射设备

一种磁控溅射设备,包括壳体、靶材、炉盘及多个挡板;所述壳体开设有反应腔;所述靶材收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上;所述炉盘收容于反应腔内,所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对;所述多个挡

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给袋式包装机

本实用新型揭示一种给袋式包装机,其包括抓袋撑袋作用的第一直线机械手、灌装下料作用的灌装下料机构及取袋封袋作用的第二直线机械手,所述第一直线机械手和第二直线机械手分别与所述灌装下料机构对应设置,所述第一

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多级结构的纳米银颗粒及其制备方法

一种多级结构的纳米银颗粒,包括粒径为100纳米~200纳米的银内核及分布于银内核的表面、粒径为5纳米~20纳米的多个银纳米微粒。上述多级结构的纳米银颗粒得到的导电银浆,具有较大的表面积,与环氧树脂混合

发布时间: 2012-12-26

一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法

本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工 艺步骤如下:1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层;2.在聚 酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形;3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发 金属

发布时间: 2009-10-28

半导体场效应晶体管的制备方法

本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法,包括:形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底;在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片;在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠

发布时间: 2012-12-26

用于卷烟引燃倾向测试的自动点烟装置

本发明公开了用于卷烟引燃倾向测试的自动点烟装置,由卷烟点燃模块、卷烟夹持模块、卷烟抽吸排气模块、烟气过滤模块、控制模块五部分构成,卷烟点燃模块由电热片和R型变压器组成,卷烟夹持模块由卷烟夹持器和线性运

发布时间: 2012-12-26

硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法

本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法,该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底,然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物,从而可以得到低缺陷密度

发布时间: 2012-12-26

一种航空汽油发动机转速测量系统

本发明为一种航空汽油发动机转速测量系统,以发动机的点火发电机为信号源,该系统包括毛刺过滤单元、电流限幅单元、信号隔离单元及信号翻转单元;所述毛刺过滤单元的输入端与发动机的点火发电机连接,毛刺过滤单元的

发布时间: 2012-12-26

一种半导体场效应晶体管的制备方法

本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法,包括:形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底;在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片;在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠

发布时间: 2012-12-26