本发明涉及一种位移与速度传感器，该传感器包括图像信号源，面阵探测 器和处理电路；面阵探测器对图像信号源进行成像，并将图像信号转换成电信 号传输给处理电路；处理电路对接收的电信号进行计算和处理，输出表示
发布时间： 2009-12-30
一种检测掠射筒状离轴非球面镜的多光束长轨干涉仪，属于光学 检测技术领域中的检测设备。要解决的技术问题：提供一种检测掠射 筒状离轴非球面镜的多光束长轨干涉仪，技术方案：包括激光光源、 起偏器、多光束分光
发布时间： 2009-12-30
本发明公开了一种机力通风间接空冷系统，包括强制通风冷却单 元和双曲线空冷塔，空冷塔的底部外侧沿其周向均布设置有若干个强 制通风冷却单元，强制通风冷却单元强制外界空气经流过其上设置的 散热器，并与散热器
发布时间： 2009-12-30
本发明提供一种用于光刻机浸没控制装置，该装置为在投影透镜组末端元件和硅片间设置的浸没控制装置，所述的浸没控制装置包括：盖板、外构件、内构件，盖板为环形板，其上由中心向外沿径向依次开有注液口、出液口、进
发布时间： 2012-08-01
本申请涉及半导体制造领域，公开了一种静电防护器件，包括可控硅器件、MOS管器件；所述可控硅器件与所述MOS管器件串联。本申请还公开了一种静电防护器件的制造工艺，包括在半导体基底上制成可控硅器件；在所述
发布时间： 2012-08-01
本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC 纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程：用化 学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列，将表面有硅纳米线阵
发布时间： 2009-12-30
本发明公开了一种熔盐电解法制备镁稀土合金的方法，是以含水氯化镁和含 水氯化稀土为电解原料，以氯化钾为电解质，以钼棒为阴极或以液态金属稀土或 液态镁稀土合金为下沉阴极，以石墨坩埚为阳极，于电流为1000
发布时间： 2009-12-30
本发明涉及一种铝掺杂α相氮化硅(α-Si3N4)基材料和进一步掺杂稀土元素铕的铝掺杂 α相氮化硅(α-Si3N4
发布时间： 2009-12-30
本发明公开了一种富含鸟嘌呤的核酸适体及其应用。核酸适体为如下1)-4)中的至少一种：1)SEQ?ID?NO：1所示的DNA分子；2)SEQ?ID?NO：2所示的DNA分子；3)SEQ?ID?NO：3所
发布时间： 2012-08-01
本发明提供了一种海水提铀用螯合纤维吸附剂的制备方法，该方法包括下述步骤：(1)将超高分子量聚乙烯纤维进行辐照处理，所述辐照源为钴源或电子束；(2)将辐照后的超高分子量聚乙烯纤维与含有接枝单体的溶液混合
发布时间： 2012-08-01