本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括： 选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进 行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在
发布时间： 2010-01-06
一种用于改善焦线均匀度的柱面透镜列阵的设计方法，采用了非时齐模拟退火算法，改变经典柱面透镜列阵设计上各列阵元结构的一致性，使得新型的柱面透镜列阵由宽度、焦距不等的柱面透镜列阵元组成。本发明设计的子列阵
发布时间： 2012-07-11
本发明提供对GPS?L5信号的捕获方法和装置。结合GPS?L5信号的数据通道和导航通道的不同的特点，采用了分阶段的捕获方法，在粗捕获阶段，先将数据通道和非数据通道各自进行短时间的单通道捕获，这样采用了
发布时间： 2012-07-11
本发明公开了一种实现基于多核处理器和混合操作系统的卸载协议栈的方法，包括：将卸载协议栈分为卸载协议栈和卸载协议栈适配层，卸载协议栈适配层运行于Linux操作系统上，卸载协议栈运行于简单执行环境或实时操
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及一种适用于中心式水声多跳网络的路由协议，该协议通过Sink节点广播路由广播矢量使得网络中其他节点建立和维护到Sink节点的路由，所述路由协议为：Sink节点向所述固定节点和移动节点周期性的广
发布时间： 2012-07-11
本发明公开了一种双因素数字签名方法：服务器产生待签名数据，并产生与待签名数据存在一一对应关系的验证数据，将验证数据呈现给用户，将待签名数据发送给用户所使用的客户端；客户端要求并接收用户输入的验证数据，
发布时间： 2012-07-11
本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂
发布时间： 2012-07-11
本发明涉及一种用于数控总线的安全可控通信方法，包括以下步骤：将安全数据报文发送方作为主站，将安全数据报文接收方作为从站；在主站中使用偏移模块计算产生CRC校验值，封装入安全数据报文中，并将该安全数据报
发布时间： 2012-07-11
公开了一种集成电路散热系统，包括至少三层基板：上层基板、夹层基板及下层基板，相邻基板间形成微通道；所述三层基板均内设导电通路，其中上层基板通过所述导电通路与集成电路芯片电连接，相邻基板间通过所述导电通
发布时间： 2012-07-11
本发明公开了一种基于赋优先级事件图的复杂事件调度系统及方法，该系统包括：原子事件采集模块，用于从感知设备中采集原子事件并存入原子事件存储库中；复杂事件图模型构造模块，用于根据用户的语义规则构造复杂事件
发布时间： 2012-07-11