一种适用于DVD系统的最大似然检测器及其数据处理方法，该检测器由路径分支度量计算模块、路径度量选择模块、优先路径存储模块、20个优先路径管理单元模块、最优路径选择模块和二进制输出选择模块组成。本发明采
发布时间： 2012-07-04
本发明涉及一种目标语音的隐私保护方法及其系统，该方法基于目标语音信号产生干扰语音信号，并结合已有干扰存储库内干扰信号合成复合干扰声音，所述的目标声音和复合干扰声音由位于房间中不同位置的扬声器系统播放。
发布时间： 2012-07-04
本发明公开了一种基于可变区域划分的分布式交通仿真系统及仿真方法。本发明按照将一个长的时间段划分为多个连续的短时间段，在短时间段内人车在路网上分布的变化比总的时间段内人车分布变化小得多。在每个短时间段内
发布时间： 2012-07-04
一种在RTEMS实时操作系统中增强实时性能的任务管理方法，包括如下步骤：A、通过发送信号量的方式调度某一个任务；B、设置同任务优先级任务就绪队列，如果根据所述某一任务的信号量的状态值确定其应该被放入就
发布时间： 2012-07-04
本发明公开了一种锂离子电池正极复合材料及其制备方法。该锂离子电池正极复合材料由LMMP及碳材料组成；所述LMMP是复合LiMn1-xMgxPO4化学计量比的橄榄石型结构的磷酸盐，其中0≤x≤0.1，具
发布时间： 2012-07-04
本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为GaxSb100-x，其中，0
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2012-07-04
一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通
发布时间： 2012-07-04
本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n+GaAs层，有源区n-GaAs层，nsGaAs层，
发布时间： 2012-07-04
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构在SOI衬底上形成，所述SOI衬底自上而下依次包括SOI层、氧化物埋层、半导体埋层和半导体衬底，所述半导体结构包括：源/漏区，形成于所述SOI层中；
发布时间： 2012-07-04
本发明公开了一种基于垂直型环栅晶体管的1T1R存储结构的三维半导体存储器件及其制备方法，通过控制环栅晶体管的沟道宽度和沟道长度，可以有效控制开关电流比，从而有利于1T1R存储单元的多态运作，同时垂直晶
发布时间： 2012-07-04