本发明提供了一种直接醇类燃料电池膜电极集合体(MEA)阴极结构和制 作方法，所述的阴极为双微孔层结构，显著改进了MEA的性能和稳定性。 其制备过程的特征为：(1)、将碳粉和聚四氟乙烯(PTFE)乳液分
发布时间： 2010-03-03
本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机 半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属 薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄 膜，该
发布时间： 2010-03-03
本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元 下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆 相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料
发布时间： 2010-03-03
本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技
术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层和第二Si3
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2010-03-03
本发明提出了一种已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法，属于半导体技术 领域。所述方法包括：采用丙酮和乙醇对已减薄或划片的氮化镓基场效应管进行清洗处理； 将清洗处理后的氮化镓基场效应管置于保护性
发布时间： 2010-03-03
本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技
术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得
的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，V
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2010-03-03
本发明属于宽禁带导电半导体材料制备领域，具体涉及一种多掺杂氧化锌基宽禁带导 电材料及其制备方法。本发明的多掺杂氧化锌基宽禁带导电材料由掺杂物源和锌源经混合、 烘干、研磨、预烧、压模成型及烧结制得。本发
发布时间： 2010-03-03
本发明一种植物场景的快速渲染及漫游方法，是以自适应方式将自 然场景中植物对象划分为两种不同方法表示的两个部分，第一部分是远 景或背景植物对象，并将以二维图像板方法来表示，第二部分是近景或 前景植物对象
发布时间： 2010-03-03
本发明提供一种数字图像训练方法以及利用该训练方法的图像检测 方法。其中该训练方法包括下列步骤：提取训练样本的图像特征；根据所 述图像特征对所述训练样本进行聚类分析，将所述训练样本分为多个子 类；对于每
发布时间： 2010-03-03
本发明公开了一种从论坛帖子列表页面中抽取帖子元数据的方法，其包括 如下步骤：步骤S1，提供论坛帖子列表页面作为样例页面，根据样例页面中 的帖子记录的组织结构特征生成抽取模板；步骤S2，根据抽取模板，对
发布时间： 2010-03-03