本发明涉及一种橙红色长余辉发光材料及其制备方法，这种发光材料的化学特征式为：BaZrO3:Eux，Tiy，其中：x，y为相应掺杂离子相对于BaZrO3的摩尔比系数，式中0.005≤x≤0.045，0＜
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种自动化气体脉冲刻蚀方法、装置及系统，其装置的连接为：装有反应气体和氮气的第一钢瓶和第二钢瓶分别经过电磁阀，连接到膨胀室，膨胀室的另一端与刻蚀室连接，刻蚀室连接挡油阱，挡油阱的另一端连接
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种多核处理器的核间通信方法，所述方法中运行在不同个处理核上的生产者和消费者之间通过单生产者/单消费者模式的无锁先进先出队列来进行通信，其特征在于所述方法还包括在核间通信前生产者端在生产数
发布时间： 2012-07-18
本发明提供了一种精制生物油的方法，包括：在光照的条件下，在可见光催化剂的作用下，生物油中的大分子有机物发生解聚。通过本发明提供的方法，生物油中的木质素低聚物在吸收一定波长光的催化剂催化作用下发生活化。
发布时间： 2012-07-18
一种大型射电望远镜主反射面主动调整用电动执行器，包括箱体、蜗轮、蜗杆、智能步进电机、丝杠螺母、滚珠丝杠、缸导套、上导套、支撑板、支撑杆、塑料轴承、限位器、零位传感器、屏蔽盒和航空插座，智能步进电机与蜗
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种采用后栅工艺制作的新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；栅极堆叠结构左右消除了传统的隔离侧墙；外延生长的超薄金属硅化物，构成源漏区；其特征在于：外延生
发布时间： 2012-07-18
本发明涉及一种选频叉指换能器。该换能器包括：压电基片，位于所述压电基片上的一维叉指换能器和位于所述一维叉指换能器之上的二维金属点阵，通过选择所述二维金属点阵的周期和所述一维叉指换能器电极周期的比值，产
发布时间： 2012-07-18
一种永磁同步直驱电机的转子结构，其转子采用空心结构轴(1)。空心结构轴(1)的一个环形端面上均匀分布有圆孔(2)。空心结构轴(1)上套有转子支架(3)，转子支架(3)沿圆周开均布的孔(4)，转子支架(
发布时间： 2012-07-18
本发明涉及一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，该半导体异质结构由驰豫型铁电单晶(PMN-PT)基片以及在其上交替生长的空穴型(p型)钙钛矿锰氧化物薄膜和电子型(n型)钙钛矿氧化物薄膜构成。本发明
发布时间： 2012-07-18
本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结
发布时间： 2012-07-18