本发明公开了一种准分子激光器谐振式充电电源的高精度电压控制方法，前端采用谐振充电电源、后端采用磁开关的准分子激光电源中，谐振电容电压经取样、差分放大和与参考电压比较后驱动泄放电路对电容进行泄放的这种实
发布时间： 2013-04-17
本发明公开一种对包含复杂地形的遥感图像进行图像匹配过程中产生的误匹配点进行有效的剔除误匹配点的方法。本发明实施的前提是参与匹配的基准图像包含比较准确的地理坐标。处理过程为：首先对遥感图像进行图像匹配，
发布时间： 2012-07-04
本发明公开了一种低功耗抗疲劳的相变存储单元，包括：下电极，位于下电极之上的介质材料过渡层，位于介质材料过渡层之上的复合相变材料层以及复合相变材料层之上的上电极；介质材料过渡层采用第一介质材料，为Ta2
发布时间： 2010-12-29
一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖
发布时间： 2010-12-29
本发明提供了一种应用于通信系统发射端的可编程增益放大器，所述可编程增益放大器包括多个可编程增益放大电路和应用于发射端的输出缓冲级，所述可编程增益放大电路之间以及可编程增益放大电路与应用于发射端的输出缓
发布时间： 2013-04-17
本发明公开了一种具有体接触结构的PD?SOI器件，该器件的有源区包括：栅区、体区、N型源区、N型漏区、体接触区以及硅化物；所述N型源区和N型漏区相对的分别位于所述体区前部的两侧，所述体接触区位于所述体
发布时间： 2010-12-29
本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属
发布时间： 2010-12-29
本发明涉及纳米特征尺寸半导体器件制备技术领域，公开了一种钼铝氮金属栅的制备方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积高介电常数栅介质；在高介电常数栅介质上淀积氮化铝
发布时间： 2010-12-29
本发明涉及一种用于语音情感识别的语音情感特征提取方法，包括下列步骤：1)对语音信号进行FFT计算得到均匀的通带能量；2)以通带能量为特征，计算各频点处的语音情感信息的F-Ratio值，得出语音情感信息
发布时间： 2010-12-29
本发明公开了一种X射线相机及其制造方法，它是由光锥与CCD或CMOS相机耦合而成，光锥的大头依次为针状CsI晶体、防潮膜、铝膜或氮化硅膜；所述光锥是在普通光锥的高折射率芯料套上低折射率皮料的基础上，再
发布时间： 2012-07-04